2.1 FLASH存储器电路设计 FLASH采用的是三星公司的K9F1G16U0M,它是一种NAND型FLASH,存储容量为64M16位,工作电压3.3V,系统中STM32F103ZET6与K9F1G16U0M的连接如图2所示。FLASH存储器的IO0~IO7和FMSC数据总线的低8位相连,STM32处理器通过FSMC访问存储器;FLASH存储器的片选信号nCE和FSMC的FSMC_NCE2相连接,这样存储器的地址空间为0x70000000~077FFFFFFFF;FLASH存储器的R/nB连接至STM32处理器的FSMC_NWAIT管脚,处理器将R/nB作为一个中断源使用,因此可以在存储器的等待周期内执行其他的任务。
图2 NANDFLASH与STM32F103ZET6连接图
|