H桥电路地如何连接

只看该作者 · 2013-12-3 14:11

最近设计电路板，上面有MOS管组成的H桥，及H桥MOS的驱动，PWM信号处理的与非门等逻辑电路，现在疑惑的是地应怎么处理，是将MOS管的地和门电路以及驱动电路的地在电源入口处一点接地，还是MOS管的地和MOS管驱动的地连在一起然后和门电路的地在电源处一点接地。现在的板子是将MOS管的地和驱动的地、门电路的地圈连在一起，没有分开，发现当MOS管工作时地不稳定。MOS管工作在3MHz，漏源电压200V。还有MOS管的地如果走线太长，对MOS管工作是不是影响很大

1万 · 2013-12-7 00:16

本帖最后由 airwill 于 2013-12-7 00:18 编辑

是的, 引线长, 当然干扰和噪声就大.
楼主的问题, 说明已经对问题有了足够的思考和预计.
这个电路, 除非采用隔离驱动, 没有完全好的办法了.各方面统筹考虑, 让影响最小吧
我比较倾向于 "MOS管的地和MOS管驱动的地连在一起然后和门电路的地在电源处一点接地。"

只看该作者 · 2013-12-7 19:25

airwill 发表于 2013-12-7 00:16
是的, 引线长, 当然干扰和噪声就大.
楼主的问题, 说明已经对问题有了足够的思考和预计.
这个电路, 除非采用 ...

现在正在调试的板子是接在同一个地平面上，目的是想使每个元器件就近接地，问题是MOS管工作期间有大电流流到地上，由于地平面和其他器件的引线的电感作用将地平面的电压抬起也就是地弹了，究其原因很大可能是同一侧的两个MOS管同时导通了，才使电流瞬间很大，如果不同时导通可能问题也不大，不过由于频率要做到5MHZ，国内能买到的功率MOS管很少能达到这个条件，亚历山大啊，顺便请教一下MOS管RCD保护电路以及变压器初级RC吸收电路的设计，是否有这方面的资料那

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