提高三极管开关速度的方法？

发表于 2013-12-12 23:33

提高三极管开关速度的方法？在base 和Emitter 加个肖特基二极管的作用是什么？三极管的深饱和区是什么意思？有什么危害？还有是预截止区？求大神指导。

发表于 2013-12-13 13:20

泻放存在基区的电荷。另外可以通过在基极限流电阻上并联电容加速导通。

发表于 2013-12-13 13:58

提高三极管开关速度，可以减小三极管饱和深度，具体来说就是减少基极电流，使其工作在境界饱和状态。

发表于 2013-12-13 21:03

Ic=hFE * Ib为放大状态
Ic不能无限大Ic<hFE * Ib就是饱和，Ic<<hFE * Ib深饱和

发表于 2013-12-15 14:08

就对于NPN管来说吧，器件的结构是一定的，我要提高它的开启速度；按照三楼的说法不处在饱和区就是要B的电压劲量小一点就可以了吗？（保持B和E的正常导通的情况下）；还有我在一些质料上看到在B和E上加了个肖特基，肖特基的开启时间是相比于其他的二极管来说快点但他得开启电压却比较小这能使三极管的B和E正常导通吗？（我觉的不应该加个正常的二极管吗？）求解。还有为什么处在饱和区它的开启速度会慢？求高手一一解答？

[电子元器件] 提高三极管开关速度的方法？

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