1.正向电压下降 暗光A一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极完整所形成的B一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。别的封装进程中也能够形成正向压下降，首要缘由有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。正向压下降的芯片在固定电压检验时，经过芯片的电流小，然后体现暗点，还有一种暗光表象是芯片自身发光功率低，正向压降正常。
2.难压焊：首要有打不粘，电极掉落，打穿电极）A打不粘：首要因为电极外表氧化或有胶B有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢，其间以加厚层掉落为主。C打穿电极：通常与芯片资料有关，资料脆且强度不高的资料易打穿电极，通常GA A LA S资料（如高红，红外芯片）较GA P资料易打穿电极，D压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时刻，压力，金球巨细，支架定位等进行调整。
3.发光色彩区别：A同一张芯片发光色彩有显着区别首要是因为外延片资料疑问，ALGA INP四元素资料选用量子布局很薄，生长是很难确保各区域组分共同。组分决议禁带宽度，禁带宽度决议波长）BGA P黄绿芯片，发光波长不会有很大误差，可是因为人眼对这个波段色彩灵敏，很简单查出偏黄，偏绿。因为波长是外延片资料决议的区域越小，出现色彩误差概念越小，故在M/T作业中有附近选取法。CGA P赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄色，这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易发生杂质能级偏移和发光饱满，发光是开端变为橙黄色。
4.闸流体效应：A发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到肯定水平，电流发生骤变。B发生闸流体表象缘由是发光资料外延片生长时呈现了反向夹层，有此表象的LEDIF=20MA 时测验的正向压降有躲藏性，运用进程是出于南北极电压不行大，体现为不亮，可用检验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线，也能够经过小电流IF=10UA 下的正向压降来发现，小电流下的正向压降显着偏大，则能够是该疑问所形成的
5.反向漏电：A缘由：外延资料，芯片制造，器材封装，检验通常5V下反向漏电流为10UA 也能够固定反向电流下检验反向电压。B不一样类型的LED反向特性相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可到达一百多伏，而普芯片则在十几二十伏之间。C外延形成的反向漏电首要由PN结内部布局缺点所形成的芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液分配银胶。以防止银胶经过毛细表象爬到结区。
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