飞兆推出新款N沟道MOSFET设计用于处理1.8W的功率耗散

1万 · 2013-12-31 22:56

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出30V、9mW FDC796N和100V、70mW FDC3616N的高效N沟道MOSFET器件，专为处理1.8W的功率耗散而设计，适用于各种应用范畴的小外形DC/DC电源，包括电信设备和互联网集线器及路由器，以至仪表设备和ATE设备。

FDC796N和FDC3616N是飞兆半导体最新独特功率MOSFET系列中的产品，该系列结合了飞兆半导体的PowerTrench技术和SuperSOT-6 FLMP(倒装引脚铸模封装)，为设计人员带来的优点，包括高性能以及封装所占的电路板空间比SO-8少70%。FDC796N和FDC3616N同时提供极低的RDS(on)额定值和低栅极电荷(通常分别为14nC和23nC)，封装只占用9平方毫米的印制电路板面积(SO-8封装则占用30平方毫米)。

飞兆半导体的专利FLMP封装省去了传统的线邦定，还提供印刷电路板和MOSFET模片(漏极连接)之间的超低热阻路径。与许多其它MOSFET封装相比，这种封装能通过减少电和热的损耗，大大提升产品性能。例如：与具有类似热性能器件的常用SO-8封装相比较，FDC796N所占的印刷电路板面积只有其三分一。而且，倾向于采用更小的八分之一和十六分之一砖的模块电源是电信和其它行业的应用趋势。在原边开关点采用FDC3616N并在同步整流端使用FDC796N的组合，可为微型半桥、48V电信输入的DC/DC转换器，提供良好的解决方案。

此外，30V FDC796N更适用于同步降压POL(负载点)，以及可在开关频率高达1MHz下工作的电源。在这种应用中，低电感SSOT-6 FLMP可与低栅极电荷及低栅极阻抗MOSFET相辅相成，从而进一步降低开关损耗。