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[DSP编程]

有关2812外扩FALSH

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raoxianbin|  楼主 | 2014-1-1 22:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题,我想在2812的外围外扩一个flash芯片,我选用的是AM29LV160DB-90EI信号,但是现在我遇到一个问题,就是查看这款芯片资料时,却没有发现相应的操作指令,例如擦除指令,

void erase_flash_cmd(void)
{
        FLASH040_CTRL1 = 0xaa;       
        delay(5);
        FLASH040_CTRL2 = 0x55;       
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0x80;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0xaa;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL2 = 0x55;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0x10;
        delay(5);
}

我看一些别的芯片,擦除操作也是这样的(但是我在手册里却没看见相关的指令,不知道是我找的手册的问题,还是什么,),我第一次做这种扩展,都不是很了解,希望有相关经验的人,帮我解答解答,谢谢大家了!

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沙发
玄德| | 2014-1-1 22:58 | 只看该作者
这个芯片,和 SRAM 的操作一样。

楼主貌似概念不清。

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板凳
raoxianbin|  楼主 | 2014-1-2 09:21 | 只看该作者
玄德 发表于 2014-1-1 22:58
这个芯片,和 SRAM 的操作一样。

楼主貌似概念不清。

恩    我的确不是很清楚他们之间的联系,能麻烦您说的详细点吗,或者您跟我说一下,外扩芯片的流程   难道他的读写指令芯片资料不应该加以说明吗,麻烦您了。。。

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地板
玄德| | 2014-1-2 13:02 | 只看该作者
带命令的 FLASH,比如 nand flash,相当于内部有个CPU在管理,所以需要字节写、页擦写这样的命令。

RAM,直接给地址、数据、读或写信号,就可以了。

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