高压电子负载功率MOS管损坏

登录 · 发表于 2014-1-2 10:56

各位高手们，小弟最近碰到一个问题，我们在设计一个500V的高压电子负载，功率不大300W，但在测试中MOS管老是损坏，损后后现象是D,G,S 任意二脚下电阻很小，短路。
电路设计为4路单独驱动电路，4个功率MOS管，损坏，可能是其中一个。

发表于 2014-1-2 11:03

俺猜是过载

发表于 2014-1-2 11:07

Lgz2006 发表于 2014-1-2 11:03
俺猜是过载

四个功率MOS管，不应该是过载，我负载是在360V/0.5A以上损坏，360V/0。4A无论带载多久，都不会损坏，在低压时，负载能力320W,长久负载都没有问题。

发表于 2014-1-2 11:10

补充一下，低压负载320W~400W MOS管都没有损坏过，360V。0，4A负载，MOS没有问题，如将负载电流增加到360V/0.5A以上，MOS管，很快就会有其中一个损坏。
在线静等高手指点，如有问题，我及时补充

发表于 2014-1-2 11:31

MOS电流是否存在瞬间开启和关断？
估计漏极有尖峰电压，电压击穿的。
驱动电路加低通滤波，防止瞬间开启和关闭。

登录 · 发表于 2014-1-2 12:16

gx_huang 发表于 2014-1-2 11:31
MOS电流是否存在瞬间开启和关断？
估计漏极有尖峰电压，电压击穿的。
驱动电路加低通滤波，防止瞬间开启和 ...

另外损坏，是在稳态时，发生的，我在CC0。6A的中间，损坏，而且我有使用示波器观看过VDS是非常稳定的，在损坏时，没有发现波动情况。见附件

发表于 2014-1-2 13:11

明明波形CH2 VGS有突然电压上升，还说电压稳定，这是怎么回事？
是击穿导致VGS上升，还是VGS上升导致击穿？
运放的恒流控制输入，也就是正输入，接一个固定的电压，试试是否还会击穿。

发表于 2014-1-2 13:16

gx_huang 发表于 2014-1-2 13:11
明明波形CH2 VGS有突然电压上升，还说电压稳定，这是怎么回事？
是击穿导致VGS上升，还是VGS上升导致击穿？ ...

漏极电压是非常稳定的，没有变化，CH2：我有注明，是VGS，VGS的突然变化现，不确定是否是在MOS损坏前，还是损坏后。（我怀疑是由于MOS损坏，D，G短路，导致VGS上升。）另外，运放正极的驱动电压是稳定值，我给的指令，是没有变化的，此问题出现在带载稳定1，2，秒后。

发表于 2014-1-2 17:37

看看G/D之间的安全间隙是否足够？是否高压高温时容易打火击穿？

发表于 2014-1-2 20:03

D极加个电阻。

发表于 2014-1-3 09:27

gx_huang 发表于 2014-1-2 17:37
看看G/D之间的安全间隙是否足够？是否高压高温时容易打火击穿？

360V 我的间距是开的2mm的开口，按理不会有问题，只要不带载，加电多久都不会有问题

发表于 2014-1-3 17:17

leail 发表于 2014-1-2 11:10
补充一下，低压负载320W~400W MOS管都没有损坏过，360V。0，4A负载，MOS没有问题，如将负载电流增加到360V/ ...

哈哈，这边结贴的时候，不会搞，忘记了给分，另一个给了的