高压电子负载MOS管损坏

登录 · 发表于 2014-1-2 11:04

各位高手们，小弟最近在做一个高压电子负载500V/300W电子负载，但在实验中，经常烧MOS管，损坏后的现象是d,g,s三个脚任意二个脚短路，电阻很小，实验主要是在360V/0.5A以上损坏，其中任意一个MOS。360V/0。4A 无论测试多久，MOS管都不会损坏。

请大家帮我看看，问题出在哪？负载使用4个单独驱动电路，驱动4个功率MOS管。

发表于 2014-1-2 11:05

自己顶一个，静等高手指点，如有不明白之处，我及时补充。

发表于 2014-1-2 11:33

负载使用4个单独驱动电路，驱动4个功率MOS管。

这句话什么意思

发表于 2014-1-2 11:39

坐等高手出现，解决问题

发表于 2014-1-2 12:19

Lgz2006 发表于 2014-1-2 11:33
这句话什么意思

哈哈，不好意思，表达不清楚，我的意思是说，我的负载模块，是使用4个MOS管，这四个MOS管的，驱动电路是独立的，只有指令是同一个。请见上面的驱动电路，是1X4的关系。

发表于 2014-1-2 12:35

再猜。查看管子安全区发表于 2014-1-2 11:26

你把管子参数贴过来看

登录 · 发表于 2014-1-2 13:22

Lgz2006 发表于 2014-1-2 12:35
你把管子参数贴过来看

这二个MOS管，我都有实验过，由于暂时电压只有测试到360V，所以电压是绝对满足要求的。

这二个MOS管损坏瞬间的波形及损坏后的状态，都是一样的。

发表于 2014-1-2 13:39

我看工作在200V以下安全

发表于 2014-1-2 13:44

Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:39
我看工作在200V以下安全

没错，250V以下，都绝对安全，没问题，请问这是为啥？哪里有问题？

登录 · 发表于 2014-1-2 13:49

看上午技术版点评

Lgz2006 再猜。查看管子安全区发表于 2014-1-2 11:26

发表于 2014-1-2 13:58

路过顶一下

发表于 2014-1-2 14:00

Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

这全区域，400V的时候，到1A都没有问题啊.

发表于 2014-1-2 14:02

Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

负载均流，是没有做到很好，但最在和最小电流差不超过0.2A,我四个MOS管，一共才流过0.6A电流，按理说，也应该在安全区域里？小弟一时糊涂，请高手详细指点！

发表于 2014-1-2 14:52

Lgz2006 发表于 2014-1-2 13:49
看上午技术版点评

散热的话，这个东西，不好说，瞬间的，没法看，我只能说，现在负载才180W，散热片还是冷的，正常情况不坏的话，320W是没有问题，负载一天，散热片的温度不过70度多右，我想应该散热没问题。瞬态热能，从理论上计算，是没有超过150度的。热阻我按0.4算，功率每个管子我算60W，也才24度。再加上，环境温度，和一些其他的，也不应该超过150度，散热片没有温度。

登录 · 发表于 2014-1-2 15:07

发表于 2014-1-2 15:23

Lgz2006 发表于 2014-1-2 15:07

嗯，每次损坏时，电流都会出现这个情况，VGS也是异常升高。图中的VGS已经升上，上但我的驱动电路最大电压才9V，这VGS已经超过我的电源电压，而且驱动信号是没有变化的。从波形上看VGS升高时，电流没有跟随变化，所以我想，是不是MOS在此时已经损坏，导致VGS上升，电流异常？这电流瞬间升高是MOS损坏，短路所出来的电流。我现在，从重新改动均流，试试，把均流做的更好一点，看是否有问题。您再帮我看看，还有其他可能性没？

发表于 2014-1-2 16:40

检查以下方面
1、采样电阻功率。
2、管子耗散功率，看散热情况，我公司类似产品每个管子耗散功率一般控制在40W以内
3、电路是否震荡。
4、PCB设计及MOS安装工艺

发表于 2014-1-2 16:57

elec921 发表于 2014-1-2 16:40
检查以下方面
1、采样电阻功率。
2、管子耗散功率，看散热情况，我公司类似产品每个管子耗散功率一般控制在 ...

谢谢，这几样，我都看过，只有散热，安装工艺这些东西比较抽象不好查。也不能马上更改实验。

发表于 2014-1-2 18:35

在G,S间加一个限压,DS间的最大击穿电压跟温度有关,要降额使用才对.

发表于 2014-1-2 20:31

此问题出现在带载稳定1，2，秒后

这个里面就有玄机了。若能发个管子安装实物截图就好了

高压电子负载MOS管损坏

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