nmos驱动问题

发表于 2014-1-9 19:35

各位老师
   请教一个问题，有关nmos驱动问题。
   一直以来，关于nmos的用法，我一直用于低边开关，S端接地，D端接负载，这样单片机控制G，保证VGS大于Vth就可以保证nmos导通。
   但是要是换过来用，D端接地，S端接负载，按照nmos导通条件，必须VGS大于Vth。而现在基本耗尽型nmos存在体二极管，二极管阳极S，阴极为D。那要是这样，D端接地，S端相对于D的地位至少高0.7V。那此时驱动nmos需要G端升高电位，只要保证VGS大于Vth，就能控制关断？但是我一直想不明白，既然有体二极管的存在，而且按照D端接地，S端接负载，就算G端抬升电位，nmos不一直导通吗？那这种情况怎么控制关断啊？谢谢各位老师指点！

发表于 2014-1-9 20:11

如你所说，有了D，反着接的话D会一直导通，无法关断。

可能LZ要的是交流电子开关，那要用两个NMOS反向串联，D就不会导通了。
这种开关的导通条件依然是：VGS大于Vth。

具体结构可以参考模拟开关。交流开关需要双电源供电的。

Siderlee · 发表于 2014-1-9 20:25

不能这样用。

发表于 2014-1-9 20:52

VGS大于Vth就可以保证nmos导通。这是增强型 MOS 管的特性.
D端接地，S端接负载, 体二极管处于导通状态, MOS 管变成了二极管, 没有开关功能了

发表于 2014-1-10 11:49

楼主先得问问自己为什么要这么用

发表于 2014-1-10 13:36

没这种用法的。管子虽然不会坏，但是也没有开关功能。

nmos驱动问题

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