量产国产MCU：
0.9μA @ 3V 低功耗模式1：主时钟关闭，外部32.768 kHz 晶振时钟关闭，包括上电复位有效，寄存器，RAM和CPU数据保存状态时的功耗。
1.4μA @3V 低功耗模式2：除了包括低功耗模式1外，打开基于外部32.768 kHz 晶振的RTC 工作，并打开基于外部32.768KHz晶振的WDT工作功耗。
1.6μA @3V 低功耗模式3，除了包括低功耗模式2外，打开基于电荷泵型LCD工作功耗。
2.0μA @3V 低功耗模式4， 除了包括低功耗模式3外，WDT使用内部专用的RC OSC工作时功耗，基于使用内部RC OSC比基于外部32.768 kHz 晶振有更强的抗干扰能力。
40μA/MHz@3V睡眠模式，CPU停止工作，外设模块运行中，主时钟运行中。
260μA/MHz@3V工作模式，CPU和外设模块运行中，程序在flash内部运行。
3μS 的芯片从超低功耗模式下唤醒时间，使模式切换更加灵活高效，系统反应更为敏捷。
32K 字节 Flash存储器。
4K 字节 RAM 存储器
工作温度： -40 ~ 85℃
工作电压：1.8 ~ 3.8 V
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