诠鼎集团力推TOSHIBA适用LED照明应用装置方案

1万 · 2014-1-13 12:44

基于效能上的提升, 东芝提供了针对LED照明应用装置的各种需求. 如交流/直流隔离型脱机LED控制器, MOSFET及超具价格竞争力大功率高亮度的LED等.

TC62D902FG 交流/直流隔离型脱机LED控制器

今天，东芝宣布研发了采用单级转换 PFC*、用于LED灯和照明设备的交流/直流脱机LED控制器IC。该产品目前提供样品，并将于今年七月上市。
新产品为隔离型反激式LED电源控制器，用于满足严苛的设计标准：支持可控硅调光；通过单级转换器实现有源PFC，提高PFC和减少外围器件；不使用光电耦合器和用于变压器次级平均LED电流控制的检测器。标准120-220VAC的功率因子值（PF）超过0.8-0.9，LED输出电流精确度达到+/-5%。

现在，LED灯已取代白炽灯，因为其更省电，使用寿命更长。东芝致力于开发更高功率LED控制、支持调光和更高功率因子、输出电流精确度更高和效率更高的产品。

* : 功率因子校正：用于提高电力传输系统效率的功能。

1万 · 2014-1-13 12:45

应用线路范本 (基本部份)

特征

•支持可控硅调光
•不使用光电耦合器和用于平均LED电流控制的检测器
•通过单级转换器实现PFC，减少外围器件
•主MOSFET底部开关控制，有助于减少噪音和低功耗
•8 ~ 22V电源下，LED输出电流精确度为小于+/-5%
•输出：达20W、1A，驱动3~8个串联LED
•封装：SOP-8

方框图

引脚分配

1万 · 2014-1-13 12:45

基本操作及LED平均电流计算

侦测调光器应用的主动式阻尼电流设定

1万 · 2014-1-13 12:46

高功率MOSFET
东芝推出了π-MOS系列的功率MOSFET采用DPAK封装中高VDSS。 DPAK逆变器控制的LED照明应用的理想选择。最新π-MOSVII的系列还具有快速开关由于其低电容设计，因此很容易为厂家提高设备使用效率。
该πMOSVII的功率MOSFET采用DPAK提供五个VDSS点（250/500/525/550/600 V）的RDS（ON）为0.25至4.3Ω最大，最适合您的需求，从而有助于降低终端设备中的功率损耗。

产品阵容

大功率高效率LED发光二极管
LED芯片的传统生产方法是在2至4英寸具有昂贵蓝宝石衬底的芯片上完成。东芝已开发出一个在200 mm硅芯片上制造氮化镓发光二极管的工艺，东芝也已经将该工艺投入了其加贺东芝电子公司(Kaga Toshiba Electronics Corporation，一家位于日本北部的分立器件产品制造工厂) 的全新生产线中。

采用东芝的全新硅上氮化镓(GaN-on-Si)技术生产LED芯片使得东芝公司得以不再需要使用蓝宝石衬底，而且以更具成本竞争力的硅衬底生产芯片。

低功耗和使用寿命长的白色LED灯在通用照明、电视背光和其他场合中的应用越来越广泛。

产品阵容

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