功耗与温升关系

发表于 2014-1-17 10:13

大家讨论下，一般 LDO 的功耗 ( 大概是 Vd x Iout ), 跟温升的关系.
有没啥理论计算公式可参考, 一般要看 LDO 规格书里面哪些的参数?

发表于 2014-1-17 10:30

规格书中都有提供一个封装热阻参数èja，就是表征功率与温度的一个参数

发表于 2014-1-17 10:40

我记得功耗和温度的四次方成正比关系吧？随着温度升高，功耗会急剧增加的。

发表于 2014-1-17 17:31

在电子设备的工作温度范围内, 如散热措施一定, 温升与功耗基本是线性关系

登录 · 发表于 2014-1-20 17:28

有些 LDO 的文档有两个，不知道有什么区别
看了好几份，都是这个公式

发表于 2014-1-21 09:35

楼主圈起来的是指不同封装的；
公式都是一样的。

发表于 2014-1-21 11:03

下面Notes不是有解释吗。。。
热阻就像电阻一样，可以串联，（θja-θjc）*Pd就是IC外壳“温升”，不过不够准确，关键还是用θja计算，保证Tj不能超

登录 · 发表于 2014-1-21 14:31

帮助文档来也~

发表于 2014-1-21 14:54

不亦心发表于 2014-1-21 11:03
下面Notes不是有解释吗。。。
热阻就像电阻一样，可以串联，（θja-θjc）*Pd就是IC外壳“温升”，不过不够 ...

Tj 节点温度
TA 环境温度
θja 节点到环境热电阻

θjc 是这个不明白

发表于 2014-1-21 14:55

aeromoon 发表于 2014-1-21 14:31
帮助文档来也~

哦，看了这份就明白那些　字母　的意思了:victory:

发表于 2014-1-21 16:48

可以参考一下VICOR设计文档。

[稳压电源] 功耗 与 温升 关系