求教关于功率场效应管发热的问题！

只看该作者 · 2007-12-26 22:27

我搭了个如图所示的简单电路，想利用场效应管的转移特性做一个由栅源电压控制漏极电流的放大电路。控制效果倒是有，但功率场效应管IRF840发烫很厉害，哪怕只有500mA的漏极电流，加了散热片也没什么效果。
请问，这是什么原因？有什么办法解决这个发热问题?或者推荐什么用输入电压可以控制输出电流的电路，要求有3A以上的输出电流？
谢谢！！！

只看该作者 · 2007-12-27 08:25

这样的工作状态长了,MOS管的寿命也减短了.
另外其本身的内阻也大,0.85OHM,如果要通过3A,功耗也有7.6W,有点汗.
不知那个R2是用来干什么,是负载吗,还是限流电阻?
如果是限流,那么建议把Vgs加到5V以上,最好是10V.

只看该作者 · 2007-12-27 08:38

只看该作者 · 2007-12-27 08:46

如果你的电源电压（24V）和负载电阻（10欧姆）都是不可更改的话，那么发热是正常的，只有加大散热片。
如果可以更改，降低电源电压或加大负载电阻，可以减少发热。

只看该作者 · 2007-12-27 09:36

实际应用中，漏极负载是一个只有几个欧姆的形状**合金丝，需要给它通3A左右的电流它才会发热变形。
之所以选用IRF840，是因为它的datasheet上写着，最大连续漏极电流可以达到8A，最大耗散功率达到125W。
我的目的是想利用Vgs来控制漏极电流，进而控制形状**合金的变形。有没有能实现这一功能的其他电路推荐？
谢谢！！！

只看该作者 · 2007-12-27 09:41

电源电压是可以调整的，负载是形状**合金丝，它的电阻很小，只有几个欧姆，而且是随温度变化的。
大面积的散热片在哪可以买到？
谢谢！！！

3万 · 2007-12-27 10:10

0.5A电流在R2上的压降为5V，(24V-5V)*0.5A = 9.5W，怎能不发热？
你的负载倒底几欧姆，始终没有说。应该根据负载及负载要求的电流选择电源电压，免得浪费，浪费掉的电能都要变成热的。

只看该作者 · 2007-12-27 10:41

常温下测得，负载（形状**合金丝）只有1欧姆，我实际做实验的时候电源电压也只加了5V。
如果电源电压低了，根据IRF840的输出特性曲线，那管子就工作在可变电阻区了，而不是线性放大区了。

1万 · 2007-12-27 10:57

3万 · 2007-12-27 11:05

不知道为什么选择用IRF840这样的管子。IRF840耐压500V，可以用于220V输入的半桥电路的。按你的要求，选择最低耐压的管子已经够用了。
手边没有IRF840资料，不过根据经验，管子上的电压低到零点几伏也没有问题，可以很好地工作。至于线性，本来就不好，也不可能很好，线性是要靠反馈实现的。所以，负载为1欧姆，要求3A电流，电源用5V已经够了。
computer00

3万 · 2007-12-27 11:13

接着说
computer00 建议用PWM，确实可以减少发热。不过楼主的负载只要3W这么小的功率，成本上未必合算。

只看该作者 · 2007-12-27 11:33

前提:负载阻值变化不大(1-3),负载本身就会限制电流
优点:MOS管发热小
缺点:电流不可调,随负载变化而变化.

只看该作者 · 2007-12-27 11:36

你说的用PWM是指给栅源之间加上PWM信号吗？调节占空比来控制漏极电流？

只看该作者 · 2007-12-27 11:40

我的初衷也是用PWM来控制漏极电流，可是管子开关频率高不是更发热吗？实验结果表明，确实是可以控制漏极电流，但发热还是很厉害，所以才想到用直流作为Vgs的。

4万 · 2007-12-27 11:55

既然电压是可调的，你需要多大的电压根据I×R算出来就是了。

MOS选低Vth和低Ron的，以保证可以可靠导通。

3万 · 2007-12-27 16:13

楼主还没有弄清楚电路中的功率耗散如何计算。
PWM肯定不会比线性工作发热多。
如果楼主只需要开关工作，当然不必PWM，按照awey说的做就没错。

只看该作者 · 2007-12-27 16:41

我的目的很简单，就是利用转移特性，用栅源电压控制漏极电流，漏极电流要达到3个安培以上，管子可靠工作。
至于管子工作是否用作开关管，不是很在乎！

只看该作者 · 2007-12-27 17:23

1万 · 2007-12-27 20:52

“野百合发表于 2007-12-26 22:27 模拟技术 ←返回版面

楼主：求教关于功率场效应管发热的问题！

我搭了个如图所示的简单电路，想利用场效应管的转移特性做一个由栅源电压控制漏极电流的放大电路 ”

野百合发表于 2007-12-27 16:41 模拟技术 ←返回版面

17楼：回复16楼！

我的目的很简单，就是利用转移特性，用栅源电压控制漏极电流，漏极电流要达到3个安培以上，管子可靠工作。
至于管子工作是否用作开关管，不是很在乎！

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楼主要求放大的功能的话，发热很多不可避免。
楼主要求控制3A的电流的话，发热很多是可避免的，就是将4伏变为10伏，

使管子导通彻底，

管子压降低，发热就少

只看该作者 · 2007-12-28 00:18

求教关于功率场效应管发热的问题！

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楼主是又要马儿跑，又要马儿不吃草

回复maychang！

用PWM不行吗？

回 野百合

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把VDD改成3V,V1改成10V ,MOSFET选用内阻为毫欧级的

回复圈圈！

继续回复圈圈！

你这里得MOS管只是做开关用

“可是管子开关频率高不是更发热吗？”

回复16楼！

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