单管DRAM读取数据时位线上的电压摆幅公式不明白

只看该作者 · 2014-1-26 00:14

第一句印错了，应该是在进行读操作之前，位线被预充电。我想问的是这个公式是如何得来的。

只看该作者 · 2014-1-26 08:59

本帖最后由 Hu.Te 于 2014-1-26 09:02 编辑

我的理解：
(Vbit-VPre)：等于压差.在之前有一个Vpre电压，即管子的WL上的线上电压是Vpre,当进行读操作时,你可以看到有一个0至1的变化，这个变化因子就是Cs/Cs+Cbl.。类似于电压的分压操作。
通俗的理解就是WL类似一个常压(delta T的时间内）,通过BL上的电压变化来确定信号的位是否有被写入。
XGnd那张小图就是指的Read的0至1翻转时，对BL进行充电的.

只看该作者 · 2014-1-27 01:40

Hu.Te 发表于 2014-1-26 08:59
我的理解：
(Vbit-VPre)：等于压差.在之前有一个Vpre电压，即管子的WL上的线上电压是Vpre,当进行读操作时, ...

不是字线被预充电至Vpre，而是位线被充电至Vpre.它印错了。

只看该作者 · 2014-1-27 09:11

zini1900 发表于 2014-1-27 01:40
不是字线被预充电至Vpre，而是位线被充电至Vpre.它印错了。

我觉得是正确的啊...
通过delta V的变化即Cs/Cs+Cbl之前的比例分压来等效类比。在Bl线上会有电压的拔动.
你看看中间的那个图的，前面有个写操作意味着Write Operation，也有可能是预充电的动作，类似precharge.
后可以看到接着来一个Read动作，MOS管打开，对Cs充电，可是时间非常短，所以BL上的电压看起来是个上升沿缓慢关短的动作。因为WL的电平明显会缓慢的回到Vdd的状态。MOS管子也会慢慢关闭。
我觉得那个Cs/Cs+Cbl应该是指的这个时间变化率，它指1~10%的区间，跟SlewRate的概念有相似之处(范围不同而已)。
个人理解的。

单管DRAM读取数据时位线上的电压摆幅公式不明白

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