关于晶体管开关速度慢的问题

只看该作者 · 2007-12-29 20:22

如图，晶体管导通和截止时，输出都有时间滞后，书中对输入由5V到0V引起的输出时间滞后这样解释：“晶体管导通时基区积累有电子，当输入变为0V时电子并不能立即消失，而且在基极限流电阻R1的作用下，不可能立即从基区取出全部电子，造成时间滞后。”请问这段话如何理解？在滞后的这段时间内，三极管基极电位不是一下就变为0V吗？输入从0V变为5V时为什么输出也出现滞后？

只看该作者 · 2007-12-29 20:30

前者让关断动作延时，用ts表示；后者作用让开通动作延时，用td表示

其它的开关参数，还有tr,tf，数字电路的前两章有讲到

4万 · 2007-12-29 21:24

只看该作者 · 2007-12-29 21:27

数电好久没看了，回头看看去，谢谢先。

只看该作者 · 2007-12-30 11:50

电子移动是需要时间的，不是光速，并且在半导体中，电子数量不多，等效所表现的电流就有限，电子（或空穴）的移动所表现出来的电子现象等效为寄生电容，在半导体器件经常会看到寄生电容。

只看该作者 · 2007-12-30 15:48

只看该作者 · 2007-12-30 15:55

重要的是仿真模型是否把这些分布参数做进去

只看该作者 · 2007-12-30 17:47

我们以PNP晶体管为例说明一下，当基极与发射极正偏的时候，基极的(N型半导体的载流子为电子)电子进入发射极，发射极的空穴（P型半导体的载流子为空穴）进入基极，进入基极的空穴并不会马上消失，会有一段存在时间的，此时若基极与集电极反偏，那么基极的空穴就会被集电极抽走，这样晶体管就处于正向工作区。当需要关断晶体管时，基极的空穴被完全抽走或者符合需要一定的时间，这是就表现为晶体管的关断电流了。