关于晶体管开关速度慢的问题

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 楼主| catwang 发表于 2007-12-29 20:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
如图,晶体管导通和截止时,输出都有时间滞后,书中对输入由5V到0V引起的输出时间滞后这样解释:“晶体管导通时基区积累有电子,当输入变为0V时电子并不能立即消失,而且在基极限流电阻R1的作用下,不可能立即从基区取出全部电子,造成时间滞后。”请问这段话如何理解?在滞后的这段时间内,三极管基极电位不是一下就变为0V吗?输入从0V变为5V时为什么输出也出现滞后?
davidli88 发表于 2007-12-29 20:30 | 显示全部楼层

你只理解了存储时间,没理解延迟时间

前者让关断动作延时,用ts表示;后者作用让开通动作延时,用td表示

其它的开关参数,还有tr,tf,数字电路的前两章有讲到
awey 发表于 2007-12-29 21:24 | 显示全部楼层

导通时间,上升时间,下降时间,存储时间

 楼主| catwang 发表于 2007-12-29 21:27 | 显示全部楼层

最近一直学模电

数电好久没看了,回头看看去,谢谢先。
bangzhu 发表于 2007-12-30 11:50 | 显示全部楼层

电子移动是需要时间的

电子移动是需要时间的,不是光速,并且在半导体中,电子数量不多,等效所表现的电流就有限,电子(或空穴)的移动所表现出来的电子现象等效为寄生电容,在半导体器件经常会看到寄生电容。
fluke56512 发表于 2007-12-30 15:48 | 显示全部楼层

兄弟你用的什么仿真软件?迟滞也能仿真?

linxinchun 发表于 2007-12-30 15:55 | 显示全部楼层

仿真软件不重要

重要的是仿真模型是否把这些分布参数做进去
darkest 发表于 2007-12-30 17:47 | 显示全部楼层

这个现象纯属半导体物理问题

我们以PNP晶体管为例说明一下,当基极与发射极正偏的时候,基极的(N型半导体的载流子为电子)电子进入发射极,发射极的空穴(P型半导体的载流子为空穴)进入基极,进入基极的空穴并不会马上消失,会有一段存在时间的,此时若基极与集电极反偏,那么基极的空穴就会被集电极抽走,这样晶体管就处于正向工作区。当需要关断晶体管时,基极的空穴被完全抽走或者符合需要一定的时间,这是就表现为晶体管的关断电流了。
fluke56512 发表于 2007-12-30 18:42 | 显示全部楼层

RE 7楼

做?怎么做?有做号的吗??
 楼主| catwang 发表于 2007-12-31 23:37 | 显示全部楼层

多谢各位

尤其感谢bangzhu的图,回头再仔细想想。
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