推挽射极跟随器的静态电压问题

登录 · 发表于 2014-1-31 21:06

就在不加信号源（静态）时，输出点的电压为7.5V左右，一直不明白为什么是7.5V左右，网上搜了好多也是说的不清楚。

发表于 2014-1-31 21:48

king5555 发表于 2014-1-31 21:40
就在加信号源（動态）时，可以得到較大输出的电压。

我想知道为啥是输出7.5V，能分析一下吗？

发表于 2014-1-31 22:38

本帖最后由 jikaishihuaidan 于 2014-2-2 09:14 编辑

king5555 发表于 2014-1-31 22:36
输出电压的峰值与谷值兩者相加除以2。

为什么要这么算呢？

发表于 2014-1-31 22:57

静态时输出点应该是0V,楼主说的7.5v是自己算的，还是量出来的？

发表于 2014-1-31 22:59

这个电路感觉是理论电路，实际使用太简单了

发表于 2014-2-1 08:53

二月寒风发表于 2014-1-31 22:57
静态时输出点应该是0V,楼主说的7.5v是自己算的，还是量出来的？

是仿真测出来的。

发表于 2014-2-1 08:55

二月寒风发表于 2014-1-31 22:59
这个电路感觉是理论电路，实际使用太简单了

额，算是原理图吧，实际肯定不这么用，我是想分析一下简单原理

发表于 2014-2-1 09:21

学习了啊

发表于 2014-2-1 10:04

发表于 2014-2-1 13:31

静态时，电容中无电流通过。基极电位是多少？发射极电位又会是多少？有集电极电流吗？

发表于 2014-2-1 14:22

这个问题可是不简单，百度自然解决不了。我们讲话要分个层面：A，7.5v；B，7V或8V；C，无解。太多学生不能站在电的立场去认识问题，只会像课堂解题寻求答案，基本原理都白学了

发表于 2014-2-1 17:36

输出对地和对电源分别接一10K电阻再分析分析。

发表于 2014-2-1 21:03

本帖最后由 ohayou 于 2014-2-1 21:29 编辑

该是BJT的E极静态电压 7.5V吧，
因为 bjt  的 CE间最小压降，为饱和电压  Vsat
显然这种电路，当N管的 VCE为最小值 Vsat 时，  VE能达到正向最高电压，即等于 15V - Vsat
同理，当P管的 VEC 为最小值Vsat时，  VE达到负向最低电压，为 0 +  Vsat
如果将 VE的偏置点设计为VE最大值和最小值中点，有正负方向对称的最大电压摆幅
这图中电路设计为VE=7.5,并不是实际中点，估计是忽略了Vsat, 不过也比较接近对称摆幅

不过你这图有耦合电容，电容不能通DC,会滤掉输出VO的DC_OFFSET, 所以静态时VO是0，VE才是7.5
如果基本概念不清楚，找本详细点的教材看吧，都是最基础的概念。

发表于 2014-2-1 21:11

本帖最后由 jikaishihuaidan 于 2014-2-1 21:15 编辑

qzlbwang 发表于 2014-2-1 13:31
静态时，电容中无电流通过。基极电位是多少？发射极电位又会是多少？有集电极电流吗？ ...

基极电位是分压后的7.5V，发射级电位不仿真我确实不知道是多少，集电极肯定会有很小的漏电流。

发表于 2014-2-1 21:13

Lgz2006 发表于 2014-2-1 14:22
这个问题可是不简单，百度自然解决不了。我们讲话要分个层面：A，7.5v；B，7V或8V；C，无解。太多学生不能 ...

我不是很明白您的意思，您能解释一下吗？

发表于 2014-2-1 21:29

本帖最后由 jikaishihuaidan 于 2014-2-2 09:11 编辑

ohayou 发表于 2014-2-1 21:03
该是BJT的E极静态电压 7.5V吧，
因为 bjt 的 CE间最小压降，为饱和电压 Vsat
显然这种电路，当N管的 ...

  恩，就是指的发射级的静态电压。
  您在分析中用了饱和压降Vce（sat），但是我认为这2个三极管是在截止区而不是饱和区，而且Ve的静态电压是与Vcc无关，只跟Vb压降相关。
  我在仿真时改动了基极偏置电压，发现Ve的静态电压基本和Vb偏置电压基本相等。

发表于 2014-2-1 22:26

jikaishihuaidan 发表于 2014-2-1 21:29
恩，就是指的发射级的静态电压。
您在分析中用了饱和压降Vce（sat），但是我认为这2个三极管是在截止 ...

肯定呀，VE的偏置点，是图中设计的啊，KVL关系显然，VB=VBE+VE （难道是不明白这个？）
这是个B类偏置 VBE偏置接近0，VE约等于VB，
我前半段话就是说为什么VE设计在7.5左右，（也就是VB为什么设计在7.5）

发表于 2014-2-2 09:09

ohayou 发表于 2014-2-1 22:26
肯定呀，VE的偏置点，是图中设计的啊，KVL关系显然，VB=VBE+VE （难道是不明白这个？）
这是个B类偏置 V ...

我不是很明白“这是个B类偏置 VBE偏置接近0，VE约等于VB”，您能再详细的说一下吗？

发表于 2014-2-2 13:20

假如，上管（NPN）漏电流大于下管，那么其发射极电压会上升，结果是上管发射结反向偏置，下管发射结正向偏置，上管的集电极电流会减少，而下管的集电极电流会增大，最终会将发射极电位维持在7.5V左右，一般不可能超出7.5±0.5V的范围。

发表于 2014-2-2 13:39

jikaishihuaidan 发表于 2014-2-1 21:13
我不是很明白您的意思，您能解释一下吗？

A.普通认识，基极电压由电阻分压获得1/2电源7.5V无疑。由对称原理，射极O点没有理由不是7.5V
B.理想电路下的一般测试，当电压表直接测量E极对地，因减去上管射结压降而得约7V；若15V-上管Vce=7V，则得8V
C.完全理想分析，射极悬浮隔离，电压不能确定或有悖论产生
D.不理想不对称，------

[电路/定理] 推挽射极跟随器的静态电压问题

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