【关于拉扎维的模拟CMOS集成电路设计，请教几个问题】

只看该作者 · 2014-2-14 08:44

本帖最后由 thomas9087 于 2014-2-14 09:02 编辑

各位大牛好，怀着一颗学习的心，请教江湖中的各位大神

1.请问书中p34页有这样一句话，与BJT不同，MOS器件即使没有传输电流也可能导通··，请问如何理解。

2.如何理解，沟道夹断后，就是当Vds> vg-vth时，仍然有电流，但是VG小于或接近Vth时，可以认为关断或者有压阀值电流，这亚阀值电流与导通电流显然是不同的。但是有效沟道的缩短，夹断的那部分，应当是离子固体，或者不是？请教高人，如果是，为何有电流，如果不是，那么请问是什么？

3.既然空穴可以看做电子的反运动，假设一个电子向左，那么必有一个空穴向右，为何书上对于PMOS的介绍指出，OMOS具有较低的电流驱动能力？，空穴的迁移率为何是电子的1/4-1/2，我对空穴的理解有问题？

4.