[p=144, null, left]开关电源[p=144, null, left]EMI[p=144, null, left]整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
[p=155, null, left]1MHZ[p=155, null, left]以内[p=155, null, left]----[p=155, null, left]以差模干扰为主
[p=155, null, left]1.[p=155, null, left]增大[p=155, null, left]X[p=155, null, left]电容量；
[p=155, null, left]2.[p=155, null, left]添加差模电感；
[p=155, null, left]3.[p=155, null, left]小功率电源可采用[p=155, null, left]PI[p=155, null, left]型滤波器处理[p=155, null, left]([p=155, null, left]建议靠近变压器的电解电容可选用较大些[p=155, null, left])[p=155, null, left]。
[p=155, null, left]1MHZ---5MHZ---[p=155, null, left]差模共模混合，
[p=144, null, left]采用输入端并联一系列[p=144, null, left]X[p=144, null, left]电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
[p=155, null, left]1.[p=155, null, left]对于[p=155, null, left]差模干扰超标可调整[p=155, null, left]X[p=155, null, left]电容量[p=155, null, left],[p=155, null, left]添加差模电感器，调差模电感量[p=155, null, left];
[p=155, null, left]2.[p=155, null, left]对于[p=155, null, left]共模干扰超标可添加共模电感[p=155, null, left],[p=155, null, left]选用合理的电感量来抑制[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]3.[p=155, null, left]也可改变[p=155, null, left]整流二极管特性来处理一对快速二极管如[p=155, null, left]FR107[p=155, null, left]一对普通整流二极管[p=155, null, left]1N4007[p=155, null, left]。
[p=155, null, left]5M---[p=155, null, left]以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
[p=144, null, left]对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕[p=144, null, left]2-3[p=144, null, left]圈会对[p=144, null, left]10MHZ[p=144, null, left]以上干扰有较大的衰减作用[p=144, null, left]; [p=144, null, left]可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔[p=144, null, left], [p=144, null, left]铜箔闭环[p=144, null, left]. [p=144, null, left]处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
[p=144, null, left]对于[p=144, null, left]20--30MHZ[p=144, null, left]，
[p=155, null, left]1.[p=155, null, left]对于一类产品可以采用[p=155, null, left]调整对地[p=155, null, left]Y2[p=155, null, left]电容量或改变[p=155, null, left]Y2[p=155, null, left]电容位置；
[p=155, null, left]2.[p=155, null, left]调整一二次侧间的[p=155, null, left]Y1[p=155, null, left]电容位置及参数值；
[p=155, null, left]3.[p=155, null, left]在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
[p=155, null, left]4.[p=155, null, left]改变[p=155, null, left]PCB LAYOUT[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]5.[p=155, null, left]输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
[p=155, null, left]6.[p=155, null, left]在输出整流管两端并联[p=155, null, left]RC[p=155, null, left]滤波器且调整合理的参数；
[p=155, null, left]7.[p=155, null, left]在变压器与[p=155, null, left]MOSFET[p=155, null, left]之间加[p=155, null, left]BEAD CORE[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]8.[p=155, null, left]在变压器的输入电压脚加一个小电容[p=155, null, left]。
[p=155, null, left]9. [p=155, null, left]可以用[p=155, null, left]增大[p=155, null, left]MOS[p=155, null, left]驱动电阻[p=155, null, left].
[p=155, null, left]30---50MHZ [p=155, null, left]普遍是[p=155, null, left]MOS[p=155, null, left]管高速开通关断引起，
[p=155, null, left]1.[p=155, null, left]可以用[p=155, null, left]增大[p=155, null, left]MOS[p=155, null, left]驱动电阻；
[p=155, null, left]2.RCD[p=155, null, left]缓冲电路采用[p=155, null, left]1N4007[p=155, null, left]慢管；
[p=155, null, left]3.VCC[p=155, null, left]供电电压用[p=155, null, left]1N4007[p=155, null, left]慢管[p=155, null, left]来解决；
[p=155, null, left]4.[p=155, null, left]或者[p=155, null, left]输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]5.[p=155, null, left]在[p=155, null, left]MOSFET[p=155, null, left]的[p=155, null, left]D-S[p=155, null, left]脚并联一个小吸收电路；
[p=155, null, left]6.[p=155, null, left]在变压器与[p=155, null, left]MOSFET[p=155, null, left]之间加[p=155, null, left]BEAD CORE[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]7.[p=155, null, left]在变压器的输入电压脚加一个小电容；
[p=155, null, left]8.PCB[p=155, null, left]心[p=155, null, left]LAYOUT[p=155, null, left]时大电解电容，变压器，[p=155, null, left]MOS[p=155, null, left]构成的电路环尽可能的小；
[p=155, null, left]9.[p=155, null, left]变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小[p=155, null, left]。
[p=155, null, left]50---100MHZ [p=155, null, left]普遍是输出整流管反向恢复电流引起，
[p=155, null, left]1.[p=155, null, left]可以在[p=155, null, left]整流管上串磁珠[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]2.[p=155, null, left]调整输出整流管的吸收电路参数[p=155, null, left]；
[p=155, null, left]3.[p=155, null, left]可改变一二次侧跨接[p=155, null, left]Y[p=155, null, left]电容支路的阻抗[p=155, null, left],[p=155, null, left]如[p=155, null, left]PIN[p=155, null, left]脚处加[p=155, null, left]BEAD CORE[p=155, null, left]或串接适当的电阻；
[p=155, null, left]4.[p=155, null, left]也可改变[p=155, null, left]MOSFET[p=155, null, left]，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡[p=155, null, left]MOSFET; [p=155, null, left]铁夹卡[p=155, null, left]DIODE[p=155, null, left]，改变散热器的接地点）[p=155, null, left]。
[p=155, null, left]5.[p=155, null, left]增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射[p=155, null, left]. [p=155, null, left]200MHZ[p=155, null, left]以上
[p=155, null, left]开关电源已基本辐射量很小，一般可过[p=155, null, left]EMI[p=155, null, left]标准。
[p=144, null, left]补充说明[p=144, null, left]: [p=144, null, left]开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的[p=144, null, left],[p=144, null, left]以上未加缀述[p=144, null, left]. [p=144, null, left]开关电源是高频产品[p=144, null, left],PCB[p=144, null, left]的元器件布局对[p=144, null, left]EMI.,[p=144, null, left]请密切注意此点[p=144, null, left]. [p=144, null, left]开关电源若有机械外壳[p=144, null, left],[p=144, null, left]外壳的结构对辐射有很大的影响[p=144, null, left].[p=144, null, left]请密切注意此点[p=144, null, left]. [p=144, null, left]主开关管[p=144, null, left],[p=144, null, left]主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异[p=144, null, left],[p=144, null, left]对[p=144, null, left]EMC[p=144, null, left]有一定的影响[p=144, null, left].[p=144, null, left]请密切注意此点以差模干扰为主 1.增大X电容量； 2.添加差模电感；
差模共模混合， 采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环;
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环. 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20--30MHZ，
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCB LAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 可以用增大MOS驱动电阻.
10.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
11.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
12.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
13.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
14.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述. 开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响.请密切注意此点. 主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点.
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