请教MCB读写操作

发表于 2014-2-23 18:28

前一段时间请教过Spartan6的MCB问题，再请教各位一个问题。
我的Spartan6外接一片1Gb的DDR2 SDRAM，我想往该存储器内部先存满数据，之后再全部读出。请问各位，我在进行写操作时，需要使用写命令字000和将写FIFO中的数据（64个数据，每个数据32bit）写入MCB，当写完该64个数据后，地址递增，直到写满外部DDR2，整个写操作期间只用到写命令字000，不用管其他刷新操作，对吗？DDR2 SDRAM的刷新MCB可以自动完成吗？请教各位！
读操作是否也是只需要使用读操作001，刷新操作MCB是否也是自动完成的？？？请教各位！！！！！！！！！！

发表于 2014-2-23 19:09

看文档，文档里可不止这两个命令 ug388

发表于 2014-2-24 19:14

命令有5个：000（write）、001（read）、010（Write with Auto Precharge）、011（Read with Auto Precharge）和1**（Refresh），在进行长时间写操作或长时间读操作情况下，010、011和1**应该用不到吧。今天测试了一下，将128MB的循环测试数据通过000写命令写入DDR2（芯片容量为128MB）后，然后对MCB没进行任何操作，等待了5分钟后，通过001命令字将数据读出，粗略看了一下，感觉数据是正确的。

发表于 2014-2-24 20:48

wolfskin 发表于 2014-2-24 19:14
命令有5个：000（write）、001（read）、010（Write with Auto Precharge）、011（Read with Auto Precharg ...

为什么要粗略看一下，你可以随意写一组连续的数据再读出来，连续数据应该很容易验证的吧

发表于 2014-2-24 20:49

wolfskin 发表于 2014-2-24 19:14
命令有5个：000（write）、001（read）、010（Write with Auto Precharge）、011（Read with Auto Precharg ...

每个命令具体用法还是去仔细看文档吧，另外datasheet也要好好看一下，with auto precharge和普通的读写是有区别的

发表于 2014-2-24 21:28

多谢mhanchen，我再仔细研究一下！

发表于 2014-2-24 22:29

wolfskin 发表于 2014-2-24 21:28
多谢mhanchen，我再仔细研究一下！

能否点一下回复再打呢，哈哈，还好我比较无聊，到处乱逛，要不然啥也看不到嘞

发表于 2014-2-25 22:39

:handshake

请教MCB读写操作

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