请教MCB读写操作

只看该作者 · 2014-2-23 18:28

前一段时间请教过Spartan6的MCB问题，再请教各位一个问题。
我的Spartan6外接一片1Gb的DDR2 SDRAM，我想往该存储器内部先存满数据，之后再全部读出。请问各位，我在进行写操作时，需要使用写命令字000和将写FIFO中的数据（64个数据，每个数据32bit）写入MCB，当写完该64个数据后，地址递增，直到写满外部DDR2，整个写操作期间只用到写命令字000，不用管其他刷新操作，对吗？DDR2 SDRAM的刷新MCB可以自动完成吗？请教各位！
读操作是否也是只需要使用读操作001，刷新操作MCB是否也是自动完成的？？？请教各位！！！！！！！！！！

只看该作者 · 2014-2-23 19:09

看文档，文档里可不止这两个命令 ug388

只看该作者 · 2014-2-24 19:14

命令有5个：000（write）、001（read）、010（Write with Auto Precharge）、011（Read with Auto Precharge）和1**（Refresh），在进行长时间写操作或长时间读操作情况下，010、011和1**应该用不到吧。今天测试了一下，将128MB的循环测试数据通过000写命令写入DDR2（芯片容量为128MB）后，然后对MCB没进行任何操作，等待了5分钟后，通过001命令字将数据读出，粗略看了一下，感觉数据是正确的。