本帖最后由 yf2008bj 于 2014-2-24 13:29 编辑
本人在做超级结(即Toshiba等口中的 CoolMOS)FAE,刚好遇到LED电源客户用我们的产品有Surge问题,现分享一下,:
客户电源规格:
30V/1A LED电源,(反激)ACin=120~264Vac ,f=50~60HZ
Surge 要求:L~N差模1200V(90°)
测试过程中发现客户有用Varistor(突波吸收器),但效果不是太明显,只能到800V左右,如果再提升电压,
就会发生MOS击穿,电流采样电阻烧坏,接触最早的电源还有将驱动IC打死的情况。
后续自己加一点小电路,避免了损坏IC的情况,多次试验,击穿了不少的MOS管,真的挺心疼的,其实还是想多用示波器看看击穿的波形,所以投入大了一点
最后有效的解决办法分享一下,中间的弯路就不谈了:
1.增加突波吸收器,经过试验,可以完成测试,但会增加成本,增大PCB面积,效果一般
2.添加电路,在整流后的母线上加入二极管串联电解电容10Uf左右,效果相当理想
3.从器件参数更改,如雪崩耐压等。
后续通过更改MOS参数,满足了客户要求,解决了问题,随便分享一下
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