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[STM32F1]

STM32F10x内部flash操作的基址怎么设置？

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楼主
zxb1717|  楼主 | 2014-2-24 15:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, STM32F10X, 存储区, 代码, 数据存储
我想利用STM32F10x内部flash保存一些参数，查阅相关资料，上面说主存储区地址是从0x08000000开始的，我的理解是主存储区前面放代码，后面剩余的空间才可以用来当做用户的数据存储区，也就是说如果代码占了20Kbyte，那么用户的数据存储空间要从0x08000000+20*1024开始，不知道理解对不对，请高手解答一下，谢谢

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沙发
airwill| | 2014-2-24 19:53 | 只看该作者
理解正确, 不过涉及到擦除操作必须整页操作, 一定要注意页边界

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板凳
mmuuss586| | 2014-2-24 20:44 | 只看该作者
对的，不过读写比较长。
例程里也有读写参考程序

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