图2中T为三绕组高频变压器,工作频率为100kHz。3个绕组分别为:Np原边绕组(65匝);Ns副边绕组(即输出绕组,13匝);Nf反馈绕组(8匝);各绕组同名端在图2中已标出。变压器中能量传递过程为:当TOPSwitch中的功率MOSFET导通时,变压器原边绕组储存能量;当功率MOSFET关断时,原边绕组中储存的能量传递给副边绕组和反馈绕组,经高频整流滤波后即可提供直流输出电压和反馈电压。 DZ1、D1和R1、C2组成了漏极箝位电路和能量吸收回路,用以限制TOPSwitch漏极因高频变压器的漏感而可能产生的尖峰电压。DZ1选用P6KE200A型瞬态电压抑制器(TVS),其反向击穿电压为200V。D1选用MUR160型超快恢复二极管,其最大反向耐压值为600V。由于TOPSwitch的漏—源极最小击穿电压为700V,而当其功率MOSFET关断时,变压器原边的直流输入电压、原边绕组的感应电压以及由变压器的漏感而产生的尖峰电压,三者叠加在一起,其值可能超过700V,故必须在TOPSwitch的漏极增加箝位电路和吸收电路,用以保护功率MOSFET不被损坏。 C3为TOPSwitch控制端的旁路电容,其作用是对控制电路进行补偿,并能设定自动重启动频率。电路中所选参数值已将自动重启动频率设定为1.2Hz。 D2及D3为高频输出整流二极管,其中D2为MUR420型超快恢复二极管,其最大反向工作电压为200V,额定整流电流为4A;D3为1N4148型玻封高速开关二极管,其最大反向工作电压75V,平均整流电流150mA。
|