再请教STM32执行时间问题

发表于 2014-3-4 14:08

各位大侠，
近来设计一个项目需要实时性，因此对STM32的指令执行时间比较关心。网上看了些资料，STM32采用三级流水线结构，平均每周期执行1.25条指令，即算下来大致10nS一条指令。
   想比较以下两条指令的执行时间。
   1，采用寄存器操作。GPIOF->CRL=0X0001000;  即将F口所有引脚置相应电位。
   2，使用位带操作 PF(0)=0;PF(1)=0;.............PF(14)=0;PB(2)=0;注意：其中PB2代替了PF的最后一个引脚。
   以上两段指令均实现对16个引脚置位电平。那分别大致消耗多少时钟周期呢？
   个人觉得操作1大致消耗一个时钟周期，而操作二则需要消耗大致16个时钟周期？
      请高手指点！十分感谢啊！

发表于 2014-3-4 14:47

访内操作两周期起步总线延迟各种可能，所以周期不定。。。。

发表于 2014-3-4 14:54

ilovezeno 发表于 2014-3-4 14:47
访内操作两周期起步总线延迟各种可能，所以周期不定。。。。

多谢大侠，
访问内部寄存器最少两周期？
那操作一和操作二差别大不？大致水平呢？

发表于 2014-3-4 16:43

magic_yuan 发表于 2014-3-4 14:54
多谢大侠，
访问内部寄存器最少两周期？
那操作一和操作二差别大不？大致水平呢？ ...

不是内部寄存器，那些是映射到内存地址上的外设寄存器。。。。任何访内操作都是1+N起步~如果连着N个内存读写指令，那么就是用N+1个周期（还要看上下文的，如果因为32bit op数对齐的原因，可能也不见得可以pipeline，那么就要更多周期了）
2 都是分开操作每一个bitband地址的话，自然每一条都如上所述的周期，如果你的编译器不知道要映射到bitband，那么每一个操作就是读-修改-写 5周期如果映射到了bitband 就是个单纯写操作，那么如果连续那么就是1+N
另外请读ref manual 你不应该以bitband方式来操作这个寄存器的。。。。。外设本身提供了更好的方式。。。。

发表于 2014-3-4 16:48

在线编译下看看对应的汇编程序，那里算起来方便也简单

发表于 2014-3-4 18:04

本帖最后由 mmuuss586 于 2014-3-5 10:22 编辑

要求高，程序可以放RAM里跑。

发表于 2014-3-4 21:26

mmuuss586 发表于 2014-3-4 18:04
要求高，程序可以放SDRAM里跑。

要求高，程序应该放在Flash 里跑！

发表于 2014-3-4 21:28

香水橙发表于 2014-3-4 21:26
要求高，程序应该放在Flash 里跑！

我说的是速度。

发表于 2014-3-4 21:34

mmuuss586 发表于 2014-3-4 21:28
我说的是速度。

我也说的是速度。

发表于 2014-3-4 21:46

香水橙发表于 2014-3-4 21:34
我也说的是速度。

解释下呗。
为啥放内部FLASH里快？

发表于 2014-3-4 22:20

捂脸，两个人说的都有问题。。。。。别争了。。。。。没有分支的话，flash里跑也有可能没有sram快的，取决于是f几，f1没分支的是flash快，f4是sram第一块最快。。。。sdram的那位是在说胡话。。。。

发表于 2014-3-4 23:16

回11＃：LZ说的是F1，请看标题。

回10＃：请看香主以前的分析；这是由系统的总线结构决定的，而不是RAM或Flash本身的速度决定的。

发表于 2014-3-5 08:18

貌似第一个时间短

发表于 2014-3-5 08:24

干嘛不用PWM控制。高速CPU，单个指令的执行时间不好确定的。

发表于 2014-3-5 12:43

置F口电平的目的是什么？只关心操作的实时性，还是要求F口输出信号的时序精准？设计要求不同，做法也会有差别的……

发表于 2014-3-5 17:23

香水橙发表于 2014-3-4 21:26
要求高，程序应该放在Flash 里跑！

多谢大侠，
我这个代码经过编译应该是烧录到内部FLASH的。。。。大侠指的FLASH是？ STM单片机刚学。。。。

发表于 2014-3-5 17:24

mmuuss586 发表于 2014-3-4 18:04
要求高，程序可以放RAM里跑。

多谢大侠，
大侠指的RAM是外部RAM？

发表于 2014-3-5 17:26

本帖最后由 mmuuss586 于 2014-3-6 08:46 编辑

magic_yuan 发表于 2014-3-5 17:24
多谢大侠，
大侠指的RAM是外部RAM？

内部，还和程序结构,MCU结构有关。

发表于 2014-3-5 17:29

mmuuss586 发表于 2014-3-5 17:26
外部。

多谢，
  外部RAM的话，CPU要读外部的RAM到内存，然后再输出到管脚。如果是内部FLASH的话，那就是先读内部FLASH到内不能，然后再输出到管脚。这个时序正确吧？
  大侠意思是读RAM时间比读FLASH时间短？
  后面我想改用M4来做，不知道哪个速度更快。

发表于 2014-3-5 17:39

magic_yuan 发表于 2014-3-5 17:29
多谢，
外部RAM的话，CPU要读外部的RAM到内存，然后再输出到管脚。如果是内部FLASH的话，那就是先读内 ...

程序从内部FLASH加载到内部RAM里跑，最快

[STM32F1] 再请教STM32执行时间问题

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