关于CMOS的几个疑问

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 楼主| zini1900 发表于 2014-3-5 19:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
NMOS为什么比NPN功耗低?
CMOS的静态功耗和动态功耗各指什么?
噪声容限和扇出系数是什么意思?
chunyang 发表于 2014-3-5 20:56 | 显示全部楼层
双极型晶体管是电流型器件,MOS管是电压型器件,流过同样的CE/DS电流时,双极型晶体管需要基极电流而MOS只需要栅极电压,此时的栅极电流仅仅是栅极分布电容的充放电电流,远远小于双极型晶体管的基极电流,当然MOS管更省电。另外,因结构和工艺的缘故,MOS管的导通内阻远低于双极型晶体管,用于开关类电路时MOS管比双极型晶体管更省电很多。
静态功耗指电路状态不发生变化时的功耗,反之就是动态功耗。
噪声容限是指满足门限电平的电压范围。
扇出系数指带标准负载的数量。
 楼主| zini1900 发表于 2014-3-6 19:27 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2014-3-5 20:56
双极型晶体管是电流型器件,MOS管是电压型器件,流过同样的CE/DS电流时,双极型晶体管需要基极电流而MOS只 ...

从漏极流向源极的电流不算功耗吗
比如4-5V被认为是高电平,那么噪声容限就是1V,是这样吗
chunyang 发表于 2014-3-6 21:50 | 显示全部楼层
zini1900 发表于 2014-3-6 19:27
从漏极流向源极的电流不算功耗吗
比如4-5V被认为是高电平,那么噪声容限就是1V,是这样吗 ...

前:仔细看前帖,“同样CE/DS电流时”以及“导通内阻”。
后:是的。
 楼主| zini1900 发表于 2014-3-8 23:29 来自手机 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2014-3-6 21:50
前:仔细看前帖,“同样CE/DS电流时”以及“导通内阻”。
后:是的。

mos管饱和是一个什么状态有个书上说通道被夹断完全不理解
mos管的电容截止时为栅与体的电容导通时栅与体的电容为0饱和时栅与漏的电容下降栅与源的电容上升这是为什么
chunyang 发表于 2014-3-8 23:39 | 显示全部楼层
zini1900 发表于 2014-3-8 23:29
mos管饱和是一个什么状态有个书上说通道被夹断完全不理解
mos管的电容截止时为栅与体的电容导通时栅与体 ...

MOS管饱和时DS间呈阻性。其它的实在不明白你在说什么?至少你说的不是中文。
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