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一个电路碰到问题，求助给位，关于MOSFET的

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jun_garfield|  楼主 | 2014-3-9 00:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路, MOSFET, 线圈, 电流, 电荷泵
先上图，大概画了一下

电路是这样的，L1，D1，Q3是一个boost，5V升到35V，给C2充电，C2是个大电容1mF的，L2是个螺线圈，Q4控制C2给螺线圈通电，电路目的是为了螺线圈瞬间得到一个较大的电流，用电流探头钳得Q4的ID瞬间电流会接近300A,持续3ms左右。
问题1：现在Q4只是用75NF75暂替，尽管ID和安全工作区都超过了规格书所标示的，但实验时还未出现烧毁MOS的情况，不知这种场合能不能继续使用75NF75
问题2:这个产品是电池5V供电，目前是用一个电荷泵把5V升到12V，供Q4的VGS控制，由于这个产品成本比较敏感，老板想把电荷泵去掉，直接用5V驱动Q4，各位有没有VGS比较低的MOSFET推荐，VDS在35V以上的，ID必须足够大，我找遍了各大芯片的官网都没找到

文字比较多，谢谢各位抽空帮忙看看 ，分不多，就给个5分吧


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沙发
wh6ic| | 2014-3-9 11:28 | 只看该作者
图片里Q2拿来干什么的？
PWM是哪来的？有35V稳压控制的？
可以考虑用这个PWM或者增加一个5V的PWM，用两个电容、两个二极管接成倍压电路，得到9~10V驱动Q4，加一毛多钱就行。

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jun_garfield + 3 好办法 一直没想到
板凳
lymex| | 2014-3-9 12:39 | 只看该作者
“VGS比较低的MOSFET推荐，VDS在35V以上的，ID必须足够大”
很多的，我喜欢用IRLB3034，Vgs=2.5V就有10A，Idmax=195A，TO220封装的，耐压40V，极限功率375W。
另外，类似的IRLB3036也可以，耐压60V。

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地板
jun_garfield|  楼主 | 2014-3-9 12:49 | 只看该作者
wh6ic 发表于 2014-3-9 11:28
图片里Q2拿来干什么的？
PWM是哪来的？有35V稳压控制的？
可以考虑用这个PWM或者增加一个5V的PWM，用两个电 ...

谢谢回复，Q2是防止C2在没有充电的情况下Q4打开，会从+5V-L1-D1-L2一个放电的路径。再加多一个PWM做电荷泵是个不错的方案，回去试试。谢谢了

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5楼
jun_garfield|  楼主 | 2014-3-9 12:54 | 只看该作者
lymex 发表于 2014-3-9 12:39
“VGS比较低的MOSFET推荐，VDS在35V以上的，ID必须足够大”
很多的，我喜欢用IRLB3034，Vgs=2.5V就有10A，I ...

谢谢lymex大大，38度也是我每天必上的论坛，前段时间才拜读了你的电子负载帖子，有类似的应用，回去再仔细看看，IRLB3034是个不错的选择，谢谢了

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6楼
highend| | 2014-3-9 13:08 | 只看该作者
HM3205  你看看。   成本控制的时候，不要考虑什么IR，Vis了吧。国产就很好

http://www.hmsemi.com/page/251/index.php

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7楼
鸟鸟| | 2014-3-9 14:46 | 只看该作者

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8楼
diy1997| | 2014-3-9 16:31 | 只看该作者
这个能升压吗？
PWM高电平时，Q1导通使Q2导通5V向L1供电，同时Q3也导通，L1开始储能；
PWM低电平时，Q1和Q3都截止，那么Q2也截止了，L1？

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9楼
getmore| | 2014-3-10 08:52 | 只看该作者

这个能升压吗？
PWM高电平时，Q1导通使Q2导通5V向L1供电，同时Q3也导通，L1开始储能；
PWM低电平时，Q1和Q3都截止，那么Q2也截止了，L1开始释放存储的能量，产生一个高压，这个高电压给C2充电。如果PWM的频率和占空比能达到一个合适的值，那么这个高电压就能维持在一个值。

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10楼
lymex| | 2014-3-10 11:23 | 只看该作者
highend 发表于 2014-3-9 13:08
HM3205  你看看。   成本控制的时候，不要考虑什么IR，Vis了吧。国产就很好

http://www.hmsemi.com/page/2 ...

HM3205恐怕不行，5V下内阻比较大。楼主说明要逻辑电平驱动的。

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11楼
jun_garfield|  楼主 | 2014-3-10 11:45 | 只看该作者
谢谢各位 问题解决了 用的是2楼的方法 做了一个5倍压 用于驱动mosfet 的确没怎么增加成本,占用两个IO，谢谢二楼

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12楼
william008| | 2014-3-10 16:09 | 只看该作者
jun_garfield 发表于 2014-3-10 11:45
谢谢各位 问题解决了 用的是2楼的方法 做了一个5倍压 用于驱动mosfet 的确没怎么增加成本,占用两个IO，谢谢 ...

用0.1uF的倍压电路，来给1mF电容充电？

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13楼
william008| | 2014-3-10 16:11 | 只看该作者
getmore 发表于 2014-3-10 08:52
这个能升压吗？
PWM高电平时，Q1导通使Q2导通5V向L1供电，同时Q3也导通，L1开始储能；
PWM低电平时，Q1和Q ...

PWM低电平是，Q2截止了，L1如何释放能量？L1左端的电流流到哪里去？

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14楼
william008| | 2014-3-10 16:12 | 只看该作者
getmore 发表于 2014-3-10 08:52
这个能升压吗？
PWM高电平时，Q1导通使Q2导通5V向L1供电，同时Q3也导通，L1开始储能；
PWM低电平时，Q1和Q ...

PWM低电平时，Q2截止了，L1如何释放能量？L1左端的电流流到哪里去？

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15楼
jun_garfield|  楼主 | 2014-3-10 16:46 | 只看该作者
楼上几位可能有些误解 Q2那一块电路可以不用管它，只是防止一个极端情况，电路就是一个boost 图还没画全 单片机采集C2两端电压，到35V就停止充电 Q4控制电容C2对螺线管L2放电，五倍压是专门提供给Q4一个比较大的VGS,仅此而已

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16楼
shalixi| | 2014-3-10 19:33 | 只看该作者
这个设备是干啥用的？

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