先上图,大概画了一下
电路是这样的,L1,D1,Q3是一个boost,5V升到35V,给C2充电,C2是个大电容1mF的,L2是个螺线圈,Q4控制C2给螺线圈通电,电路目的是为了螺线圈瞬间得到一个较大的电流,用电流探头钳得Q4的ID瞬间电流会接近300A,持续3ms左右。
问题1:现在Q4只是用75NF75暂替,尽管ID和安全工作区都超过了规格书所标示的,但实验时还未出现烧毁MOS的情况,不知这种场合能不能继续使用75NF75
问题2:这个产品是电池5V供电,目前是用一个电荷泵把5V升到12V,供Q4的VGS控制,由于这个产品成本比较敏感,老板想把电荷泵去掉,直接用5V驱动Q4,各位有没有VGS比较低的MOSFET推荐,VDS在35V以上的,ID必须足够大,我找遍了各大芯片的官网都没找到
文字比较多,谢谢各位抽空帮忙看看 ,分不多,就给个5分吧
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