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三级管问题

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chunyang| | 2014-3-12 21:32 | 只看该作者
晶体管在饱和态,CE之间的压降对于硅管是0.2V左右,确实比较小。至于hfe的说法是没有根据的,在临界饱和态,hfe仍然是器件固有的常数,但此时继续加大基极电流,集电极电流是不会再随之增加的,貌似hfe降低,但不能这么理解,更没有什么1/5一说。

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小芒果| | 2014-3-12 22:27 | 只看该作者
三极管作为开关管使用时,没有用到放大区,只用到饱和区 和截止区,在饱和的时候 三极管的c和e之间的电压特别小  你可以测一下

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lymex| | 2014-3-13 08:26 | 只看该作者
三极管饱和不是突然的,而是有一个过程,这个过程就是hFE=Ic/Ib减少的过程。至于hFE到底下降到原来的多少分之一,那是要看设计者的意图了,不一定就是1/5,其实1/2就比较饱和了,但由于三极管的参数有离散性,为了在产品里能让所有的管子在可能的环境下都可靠饱和,要取一定的余量,就是Ib取的大一些,大概1/5就是这么来的。

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Lgz2006| | 2014-3-13 08:41 | 只看该作者
同意4楼。
伴随着Vce的下降,Ic/Ib会逐渐下降。视不同管子不同要求不同情况不同意义,有时会将hFE下降到一个比值作为具体定义
这个比值很粗糙(并不一定精细),常见1/10,1/5,甚或1/2
这里强调的是:在“饱和”状态附近,hFE变化是较大的,尤其不作为常量
例如9014,平常hFE300,随Vce在零点几伏时,hFE可为20,30,或50
记住:hFE是个定义!

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gx_huang| | 2014-3-13 08:53 | 只看该作者
没有这个1/5的说法,当然需要余量,放大倍数并没有减少,只是设计时考虑的余量。

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Lgz2006| | 2014-3-13 12:17 | 只看该作者
我们粗略看看都有多少说法

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鸟鸟| | 2014-3-13 16:10 | 只看该作者

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