三级管问题

发表于 2014-3-12 20:54

本人刚开始接触电子电路看到有这样一个说法当三极管作为开关使用的时候 C极和E极之间的电压Vce非常小此时直流增益Hfe一般只有原来的五分之一这个是怎么理解的能用通俗一点的话给我讲下吗谢谢

发表于 2014-3-12 21:32

晶体管在饱和态，CE之间的压降对于硅管是0.2V左右，确实比较小。至于hfe的说法是没有根据的，在临界饱和态，hfe仍然是器件固有的常数，但此时继续加大基极电流，集电极电流是不会再随之增加的，貌似hfe降低，但不能这么理解，更没有什么1/5一说。

发表于 2014-3-12 22:27

三极管作为开关管使用时，没有用到放大区，只用到饱和区和截止区，在饱和的时候三极管的c和e之间的电压特别小你可以测一下

发表于 2014-3-13 08:26

三极管饱和不是突然的，而是有一个过程，这个过程就是hFE=Ic/Ib减少的过程。至于hFE到底下降到原来的多少分之一，那是要看设计者的意图了，不一定就是1/5，其实1/2就比较饱和了，但由于三极管的参数有离散性，为了在产品里能让所有的管子在可能的环境下都可靠饱和，要取一定的余量，就是Ib取的大一些，大概1/5就是这么来的。

发表于 2014-3-13 08:41

同意4楼。
伴随着Vce的下降，Ic/Ib会逐渐下降。视不同管子不同要求不同情况不同意义，有时会将hFE下降到一个比值作为具体定义
这个比值很粗糙（并不一定精细），常见1/10，1/5，甚或1/2
这里强调的是：在“饱和”状态附近，hFE变化是较大的，尤其不作为常量
例如9014，平常hFE300，随Vce在零点几伏时，hFE可为20,30，或50
记住：hFE是个定义！

发表于 2014-3-13 08:53

没有这个1/5的说法，当然需要余量，放大倍数并没有减少，只是设计时考虑的余量。

登录 · 发表于 2014-3-13 12:17

我们粗略看看都有多少说法

发表于 2014-3-13 16:10

三级管问题

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