CEP6030 N-mosfet的开启电压是多少

只看该作者 · 2014-3-14 16:26

CEP6030 N-mosfet的开启电压是多少？我看了参数/如下也找不到！请指教！谢谢！

只看该作者 · 2014-3-14 17:14

本帖最后由 DianGongN 于 2014-3-14 17:23 编辑

1.6V。
如果工作在开关状态，这个参数没什么用，作线性放大器才用得到。

只看该作者 · 2014-3-14 17:24

本帖最后由 DianGongN 于 2014-3-14 17:31 编辑

估计LZ问的是Vgs多少伏能够可靠导通，这个参数厂家不好提供，因为跟你的负载有关。

CEP6030L.pdf (151.78 KB)

可以查Id/Vgs曲线。看下面的两个曲线

只看该作者 · 2014-3-17 14:23

本帖最后由 Guillaume_Meng 于 2014-3-17 15:12 编辑

DianGongN 发表于 2014-3-14 17:14
1.6V。
如果工作在开关状态，这个参数没什么用，作线性放大器才用得到。
...

你好，datasheet上有“on-state Drain, current"这一行,是不是说在Vds=10V,Vgs=10V时，最小的电流ID/漏极电流可达60A?60A，我觉得好大！好像一般都是mA级别的！

只看该作者 · 2014-3-17 14:56

只看该作者 · 2014-3-17 15:37

Guillaume_Meng 发表于 2014-3-17 14:23
你好，datasheet上有“on-state Drain, current"这一行,是不是说在Vds=10V,Vgs=10V时，最小的电流ID/漏极 ...

30V52A的power mosfet，Vds=10V,Vgs=10V时Id=60A是正常的。这个参数时导通状态的漏极电流，不可能mA级。

这个参数和曲线相符。

只看该作者 · 2014-3-17 16:13

DianGongN 发表于 2014-3-17 15:37
30V52A的power mosfet，Vds=10V,Vgs=10V时Id=60A是正常的。这个参数时导通状态的漏极电流，不可能mA级。
...

我想做个简单的用Vgs去控制Id的小电路自己测测，请问Rd应该取值多少才合适？我的意思是ID能达到60A，那Rd要取值多少才合适？

只看该作者 · 2014-3-17 16:46

Guillaume_Meng 发表于 2014-3-17 16:13
我想做个简单的用Vgs去控制Id的小电路自己测测，请问Rd应该取值多少才合适？我的意思是ID能达到60A，那Rd ...

就想这样用万用表简单测测Id，Rd怎么取值？

只看该作者 · 2014-3-17 16:58

Guillaume_Meng 发表于 2014-3-17 16:13
我想做个简单的用Vgs去控制Id的小电路自己测测，请问Rd应该取值多少才合适？我的意思是ID能达到60A，那Rd ...

如果这样的话，mosfet额定Id可以选工作电流的2倍左右。
注意温度变化会引起曲线变化，简单的手动调节在Id比较大时，因为mosfet发热Id会变化。
mosfet加散热片减小温升会好一点。
定性分析没有问题。

只看该作者 · 2014-3-17 17:09

本帖最后由 DianGongN 于 2014-3-17 17:37 编辑

Guillaume_Meng 发表于 2014-3-17 16:46
就想这样用万用表简单测测Id，Rd怎么取值？

可以的，Rd可以取任意值。对应曲线上不同的点。
电阻功率按全导通100/Rd计算放两倍余量。

举例来说，如果你想知道Vgs=10V，Id=1A，mosfet的Rds值，先查曲线，可以认为mosfet全导通。
取Rd=10 ohm，电阻功率取20W以上，按你的电路连接，万用表测试即可。
当然，实际Id比1A小一点点

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