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[逆变器]

关于MOSFET和IGBT保护的问题

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flyicdsp|  楼主 | 2014-3-14 22:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
lsq334421| | 2014-3-15 11:18 | 只看该作者
不会,坐等大神解答

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yytda| | 2014-3-15 13:14 | 只看该作者
半年前,我经常在这里回帖,但是现在,我发现几乎所有的帖子问题,我都答不出来,这究竟是怎么了?

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xyz549040622 + 8
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xyz549040622| | 2014-3-15 14:55 | 只看该作者
yytda 发表于 2014-3-15 13:14
半年前,我经常在这里回帖,但是现在,我发现几乎所有的帖子问题,我都答不出来,这究竟是怎么了? ...

你这是变牛X的前奏!

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5
oneday45| | 2014-3-16 12:37 | 只看该作者
MOS没法检测饱和压降来进行短路保护,所以就不设计这样的电路了。IGBT可以采用饱和压降来检测短路电流,所以可以采用这样简便的保护措施

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6
Siderlee| | 2014-3-28 22:57 | 只看该作者
都需要的保护

只是IGBT本身由于自身的擎柱效应,有自限流;

但是二者都需要保护,过流意味着更高的温升,对于器件的可靠性是个挑战

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