关于MOSFET和IGBT保护的问题

发表于 2014-3-14 22:41

有人说一般MOSFET构成的电路比如6桥臂全桥直流无刷电机驱动，一般MOSFET本身不需要保护（指过流和过压，门级TVS等保护还是要的），但是换成IGBT，就要对管子进行各种保护来切断驱动脉冲，是这样？

发表于 2014-3-15 11:18

不会，坐等大神解答

xyz549040622 · 发表于 2014-3-15 13:14

半年前，我经常在这里回帖，但是现在，我发现几乎所有的帖子问题，我都答不出来，这究竟是怎么了？

发表于 2014-3-15 14:55

yytda 发表于 2014-3-15 13:14
半年前，我经常在这里回帖，但是现在，我发现几乎所有的帖子问题，我都答不出来，这究竟是怎么了？ ...

你这是变牛X的前奏！

发表于 2014-3-16 12:37

MOS没法检测饱和压降来进行短路保护，所以就不设计这样的电路了。IGBT可以采用饱和压降来检测短路电流，所以可以采用这样简便的保护措施

发表于 2014-3-28 22:57

都需要的保护

只是IGBT本身由于自身的擎柱效应，有自限流；

但是二者都需要保护，过流意味着更高的温升，对于器件的可靠性是个挑战

[逆变器] 关于MOSFET和IGBT保护的问题