对于没有反向电压保护的器件来说,直通 FET 的输入电压保持在其输出电压以上很重要。否则,输入将会通过 FET 主体二极管被钳位控制,从而使大电流从输出流至输入。 在图 1 实例中,如果电池为一块 4.2V(最大)的锂离子 (Li-Ion) 电池,启用 DC输入,并且电压为 5.0V,则潜在大电流将从负载流至电池——我们当然不希望看到这种结果! 一种有效的解决方案是使用一款具有反向电压保护特性的器件。反向电流保护一般可以通过使用背靠背 FET,或者在探测到反向电压状态时开关 PMOS FET 的背栅来实现。您将会研究反向电压比较器跳变点(VOUT – VIN值,即启用反向电流特性的阈值),以及从反向电压状态到 MOSFET 关闭的时间。 可有效用于某些应用的另外一种保护是过电压保护 (OVP)。该特性在开关出现过电压时,保护开关和系统。例如,它可以有效地用于一些 USB 应用或者电池应用中。 浪涌电流管理
电源开关的另一种常见用法是对系统启动时的浪涌电流进行管理。如果开关在不受控的情况下开启,则会形成巨大的浪涌电流,可导致开关输入电源轨压降。其最终会影响系统的整体功能。 对大容量输出电容充电时,浪涌电流会很大,需要对其进行控制和/或限制。这种浪涌电流可由公式 5 计算得到: 例如, 和 1µS 升压时间的情况下,浪涌电流可以高达 3A。
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