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[电子元器件]

8050三极管集电极电位高低电位始终不是各占50%??

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LIEHU|  楼主 | 2014-3-24 15:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电路如下:QU1端输入200KHZ,占空比为50%的方波信号。

三极管基极和集电极测量的波形如下图所示:

请问为什么输入时占空比为50%的方波在经过基极电阻和在集电极测出来是上图的波形,不是占空比为50%了?

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沙发
maychang| | 2014-3-24 15:50 | 只看该作者
集电极高电平变窄,是因为三极管退出深饱和需要较长时间。

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Lgz2006| | 2014-3-24 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 Lgz2006 于 2014-3-24 17:43 编辑

听说“饱和开关存储效应”么
你把R1R2对调位置看看有何变化

通常要个加速电容

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maychang| | 2014-3-24 15:53 | 只看该作者
忽然发现楼主连发过两篇驱动MOS管的帖,并且根本不曾仔细看过我的回复,否则也不会继续用4.7k的集电极电阻。
那两帖,算我没说。

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
lphaff + 1 很多人只知道不断的提问,不知道思考别人的.
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LIEHU|  楼主 | 2014-3-24 17:18 | 只看该作者
maychang 发表于 2014-3-24 15:53
忽然发现楼主连发过两篇驱动MOS管的帖,并且根本不曾仔细看过我的回复,否则也不会继续用4.7k的集电极电阻 ...

那个4.7K我已经将其变小了。不过效果不大

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xukun977| | 2014-3-24 17:39 | 只看该作者
是不是用信号发生器直接驱动这个电路的?

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LIEHU|  楼主 | 2014-3-24 18:04 | 只看该作者
xukun977 发表于 2014-3-24 17:39
是不是用信号发生器直接驱动这个电路的?

不是,方波信号由CPLD给出

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xukun977| | 2014-3-24 19:27 | 只看该作者
原来是搞软件的,难怪。
泰克公司1978年有本小书,关于双极管模型及参数提取方法,里面有关于tao R,tao F,tao SAT等参数。

估计你没时间看,直接看1982年国防出版社翻译的小鬼子写的晶体管电路设计,包括开关电路在内的各种分立件电路设计方法,给出了实用设计公式,套公式即可。

搞软件的也得懂点基本电路工作原理,设计方法。

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9
gx_huang| | 2014-3-25 08:28 | 只看该作者
8050不是开关管,驱动又这么强,IC这么小,深度饱和了,饱和退出需要时间的,200K,高低脉冲时间分别是2.5US,8050的饱和时间估计是US级别的。

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mmuuss586| | 2014-3-25 08:50 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2014-3-25 08:28
8050不是开关管,驱动又这么强,IC这么小,深度饱和了,饱和退出需要时间的,200K,高低脉冲时间分别是2.5U ...

厉害:)

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