3
23
79
初级技术员
使用特权
10
268
902
高级技术员
556
1万
6万
版主
---------------------
32
155
479
资深技术员
2
46
164
中级技术员
61
1200
3639
中级工程师
boyie 发表于 2014-3-24 17:33 需要做缓冲池和写入均衡。4G是总写入量?
Marco-Marco 发表于 2014-3-24 21:16 可以用SD卡,STM32自带SDIO接口。扩展性更好。至于用nand flash具体有什么弊端不详。 ...
airwill 发表于 2014-3-24 20:41 可以先放在 SRAM 里, 累计到一页再存储嘛
258963519 发表于 2014-3-24 21:45 用nand可以的,不过要做坏块管理,sd卡数据不是很关键是个不错的选择
azadaqdc 发表于 2014-3-25 14:09 您用过nand flash吗,我看nand是按照页写入的,我这边需要0.5ms写入一次,一次大概60B的数据,这么频繁的 ...
258963519 发表于 2014-4-26 14:01 用过,软件上做些特殊处理,用起来是很可靠的,比sd卡之类的
azadaqdc 发表于 2014-5-16 08:47 您好,您是用stm32的FSMC控制的nand flash吗,MLC 和SLC类型的nand flash 控制上是不是类似,您有这方面 ...
4
211
658
azadaqdc 发表于 2014-3-25 14:07 SRAM有那么大么,一页要2k多,可以实现0.5ms存储一次,一次大概60B
1120
5万
5
706
2126
初级工程师
发表回复 本版积分规则 回帖后跳转到最后一页
人才类勋章
时间类勋章
发帖类勋章
等级类勋章
扫码关注 21ic 官方微信
扫码关注嵌入式微处理器
扫码关注21ic项目外包
扫码关注21ic视频号
扫码关注21ic抖音号
本站介绍 | 申请友情链接 | 欢迎投稿 | 隐私声明 | 广告业务 | 网站地图 | 联系我们 | 诚聘英才 | 论坛帮助
京公网安备 11010802024343号