发新帖我要提问
返回列表
打印
[应用相关]

大容量存储 nand flash

[复制链接]
2118|16
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
azadaqdc|  楼主 | 2014-3-24 16:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
flash, NAND, 大容量存储, nandflash, dflash
想问一下，0.5ms存储一次数据，一次数据大概60B，大概4G左右的数据，用nand flash合适吗？我看nand flash是按页存储的，一页有512字节（或2K字节）

使用特权

评论回复 赏
沙发
boyie| | 2014-3-24 17:33 | 只看该作者
需要做缓冲池和写入均衡。4G是总写入量？  

使用特权

评论回复 赏
板凳
airwill| | 2014-3-24 20:41 | 只看该作者
可以先放在 SRAM 里, 累计到一页再存储嘛

使用特权

评论回复 赏
地板
Marco-Marco| | 2014-3-24 21:16 | 只看该作者
可以用SD卡，STM32自带SDIO接口。扩展性更好。至于用nand flash具体有什么弊端不详。

使用特权

评论回复 赏
5楼
258963519| | 2014-3-24 21:45 | 只看该作者
用nand可以的，不过要做坏块管理，sd卡数据不是很关键是个不错的选择

使用特权

评论回复 赏
6楼
ar_m_cu| | 2014-3-24 23:26 | 只看该作者
我错了

使用特权

评论回复 赏
7楼
azadaqdc|  楼主 | 2014-3-25 14:05 | 只看该作者
boyie 发表于 2014-3-24 17:33
需要做缓冲池和写入均衡。4G是总写入量？

4GB是总写入量，0.5ms写入60B，能满足吗，nand flash都是按照页写入的。另外缓冲池和写入均衡怎么做，指点一下，谢谢

使用特权

评论回复 赏
8楼
azadaqdc|  楼主 | 2014-3-25 14:05 | 只看该作者
Marco-Marco 发表于 2014-3-24 21:16
可以用SD卡，STM32自带SDIO接口。扩展性更好。至于用nand flash具体有什么弊端不详。 ...

SD卡可以实现0.5ms写入一次，一次写入大概60B吗？

使用特权

评论回复 赏
9楼
azadaqdc|  楼主 | 2014-3-25 14:07 | 只看该作者
airwill 发表于 2014-3-24 20:41
可以先放在 SRAM 里, 累计到一页再存储嘛

SRAM有那么大么，一页要2k多，可以实现0.5ms存储一次，一次大概60B

使用特权

评论回复 赏
10楼
azadaqdc|  楼主 | 2014-3-25 14:09 | 只看该作者
258963519 发表于 2014-3-24 21:45
用nand可以的，不过要做坏块管理，sd卡数据不是很关键是个不错的选择

您用过nand flash吗，我看nand是按照页写入的，我这边需要0.5ms写入一次，一次大概60B的数据，这么频繁的写，行吗

使用特权

评论回复 赏
11楼
258963519| | 2014-4-26 14:01 | 只看该作者
azadaqdc 发表于 2014-3-25 14:09
您用过nand flash吗，我看nand是按照页写入的，我这边需要0.5ms写入一次，一次大概60B的数据，这么频繁的 ...

用过，软件上做些特殊处理，用起来是很可靠的，比sd卡之类的

使用特权

评论回复 赏
12楼
azadaqdc|  楼主 | 2014-5-16 08:47 | 只看该作者
258963519 发表于 2014-4-26 14:01
用过，软件上做些特殊处理，用起来是很可靠的，比sd卡之类的

您好，您是用stm32的FSMC控制的nand flash吗，MLC 和SLC类型的nand flash 控制上是不是类似，您有这方面的程序方便的话可不可以发我一份，谢谢 azadaqdc@126.com

使用特权

评论回复 赏
13楼
258963519| | 2014-5-19 07:02 | 只看该作者
azadaqdc 发表于 2014-5-16 08:47
您好，您是用stm32的FSMC控制的nand flash吗，MLC 和SLC类型的nand flash 控制上是不是类似，您有这方面 ...

不好意思，代码确实不方便提供，需要可以交流

使用特权

评论回复 赏
14楼
rtgchym| | 2014-5-19 08:46 | 只看该作者
azadaqdc 发表于 2014-3-25 14:09
您用过nand flash吗，我看nand是按照页写入的，我这边需要0.5ms写入一次，一次大概60B的数据，这么频繁的 ...

可以，只要别频繁的一直读写同一个地址就没事，不然Flash也受不了，没有文件系统的话你需要自己好好规划一下读写流程

使用特权

评论回复 赏
15楼
rtgchym| | 2014-5-19 08:49 | 只看该作者
azadaqdc 发表于 2014-3-25 14:07
SRAM有那么大么，一页要2k多，可以实现0.5ms存储一次，一次大概60B

版主的意思是可以用SRAM做个缓冲区，这样就不用频繁的写Flash了，你0.5ms写60B，可以先把十几秒的数据依次写到SRAM里，然后以此为频率，一次把这十几秒的数据写进Flash里，这样可以延长Flash的使用寿命

使用特权

评论回复 赏
16楼
icecut| | 2014-5-19 09:36 | 只看该作者
不如用带坏块管理的芯片.emmc之类.

使用特权

评论回复 赏
17楼
huzi2099| | 2014-5-19 11:40 | 只看该作者
SD卡就是NANDFlash+控制电路+接口

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

azadaqdc

3

主题

23

帖子

2

粉丝