[i.MX] IMX6Q DDR3不能正常使用?(已解决)

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 楼主| abc68jj 发表于 2014-3-26 19:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 FSL_TICS_imx 于 2014-4-2 21:22 编辑

大家好,
我参照freescale SABRESDP设计了一块板卡,使用IMX6Q+DDR3(4*MT41J256M16HA=2GB)。现在使用DDR Stress tester测试528MHz频率能够通过。之后使用MFGtool工具下载uboot和image的时候,MFGtool停止在“jumping to OS image”就没有反映了,同时debug串口没有任何打印信息出来。
按照我的理解,能够使用内存测试工具测试通过说明arm和DDR3都是正常的,继续查看了“ucl2.xml”内容,感觉jump就是跳转到内存去执行special uboot的。
现在问题来了,既然我DDR3测试通过了,为什么没能跳转到内存运行uboot呢?
期待高手解答,谢谢
williamhwf2011 发表于 2014-3-27 08:55 | 显示全部楼层
楼主遇到的问题现象,不能得出DDR3相关结论。
其他因素也能导致类似现象出现,比如:
编译环境问题、mfg工具使用错误、linux镜像问题、链接地址不对、magic不对、软件版本不对、uboot传递内核参数不对,等等。。。
williamhwf2011 发表于 2014-3-27 09:01 | 显示全部楼层
有个简单的手段可以试验下:
uboot启动后,使用其自带的测试命令 mtest - simple RAM read/write test 即可粗略区分是否DDR有问题。若该命令测试通过,基本先排除DDR问题,应将注意力转移到其他因素排查。
alexer 发表于 2014-3-27 10:33 | 显示全部楼层
为什么我们做的板子就OK呢?问题还是在楼主http://www.qiytech.com/product/ARM_gongyekongzhizhuban/1758.html
 楼主| abc68jj 发表于 2014-3-27 12:05 | 显示全部楼层
感谢各位的回答,问题我解决了,主要是VTT干扰造成的,在VTT端接电阻上增加足够的去耦电容就正常了
FSL_TICS_Rita 发表于 2014-3-27 17:55 | 显示全部楼层
abc68jj 发表于 2014-3-27 12:05
感谢各位的回答,问题我解决了,主要是VTT干扰造成的,在VTT端接电阻上增加足够的去耦电容就正常了 ...

楼主你好,如果您的问题已经解决,麻烦把该贴结了,非常感谢~~
同时欢迎继续在本论坛中创贴提问,大家一起学习和交流:)
FSL_TICS_Rita 发表于 2014-3-28 10:31 | 显示全部楼层
楼主你好,如果您的问题已经解决,麻烦把该贴结了,非常感谢~~
同时欢迎继续在本论坛中创贴提问,大家一起学习和交流:handshake
zhangkang90125 发表于 2015-7-23 14:58 | 显示全部楼层
abc68jj 发表于 2014-3-27 12:05
感谢各位的回答,问题我解决了,主要是VTT干扰造成的,在VTT端接电阻上增加足够的去耦电容就正常了 ...

你好!VTT干扰是什么意思?能说一下吗?谢谢!
韬铸88 发表于 2017-11-22 13:12 | 显示全部楼层
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