求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

只看该作者 · 2014-4-8 17:24

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-8 21:35 编辑

求一个驱动3.3~5V 800mA的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.
注意:高电平=1.8v.

因为单片机是低功耗的, 高电平只有1.8v, 我现在用一个NMOS驱动一个PMOS(SI2301 SI2302), 但是NMOS是低电平截止, 高电平导通.
但是单片机休眠关机时时, IO口状态是输出高电平. 导致IO口打开了.

有人说加一个非门就好了, 我搜索了一个TC7S14F 施密特非门.

1. 我有个疑虑: 加一个非门会不会增加功耗?
2. TC7S14F 在5V 供电时, 1.8v算高电平吗?
3. 有没有哪种PMOS在VCC在3.3~5.5v区间, 可以用1.8v作为高电平的PMOS呢?

谢谢!

只看该作者 · 2014-4-8 17:56

NMOS驱动PMOS的栅极么？单片机IO高阻时是弱上拉，在IO对地接一个合适的下拉电阻是否可以呢？

只看该作者 · 2014-4-8 18:08

cpl_1 发表于 2014-4-8 17:56
NMOS驱动PMOS的栅极么？单片机IO高阻时是弱上拉，在IO对地接一个合适的下拉电阻是否可以呢？ ...

只看该作者 · 2014-4-8 18:09

cpl_1 发表于 2014-4-8 17:56
NMOS驱动PMOS的栅极么？单片机IO高阻时是弱上拉，在IO对地接一个合适的下拉电阻是否可以呢？ ...

已经加了一个下拉电阻了, 但是开机时, 还是导通了

只看该作者 · 2014-4-8 18:22

你看单片机休眠时IO端测的电压是多少伏？把R7改成10k，挪接到R6左边引脚看看呢？

只看该作者 · 2014-4-8 18:24

或者把NMOS管换成电流型的NPN三极管看能满足你的功耗什么的要求吗

只看该作者 · 2014-4-8 18:27

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 18:09
已经加了一个下拉电阻了, 但是开机时, 还是导通了

开机时导通？是复位期间引脚的那个状态吗？

只看该作者 · 2014-4-8 18:46

cpl_1 发表于 2014-4-8 18:27
开机时导通？是复位期间引脚的那个状态吗？

那我把R6去掉, 就等于在左边了吧. 试试看

用三极管在待机是功耗较大吧, 我这个是电池供电, 所以不想用三极管.

嗯, 开机时和待机休眠时, IO口是Hi-z 高组态输入状态.

1万 · 2014-4-8 19:22

TC7S14F 在5V供电下的高电平远高于1.8V；
其实可以用负载开关，5V供电下 1.8V就能识别为高电平了，用I/O直接控制负载开关的使能脚，前端I/O还是需要加个10K下拉电阻，就是防止I/O在高阻态下为高电平，10K如果还不够的话就改用4.7K，这里耗电很小，负载开关禁止下功耗1uA以内，参考下SGM2554A：

SGM2554.pdf (353.16 KB)

只看该作者 · 2014-4-8 19:23

cpl_1 发表于 2014-4-8 18:22
你看单片机休眠时IO端测的电压是多少伏？把R7改成10k，挪接到R6左边引脚看看呢？ ...

试了, R7 =10, R6短路.

开始打开了.

不知道你是否会看那个非门呢? 功耗是否很低, 而且1.8v能视为高电平.

因为我看资料, VCC= 4.5V时, VP最小要求2.3V. Vn倒是满足需求. 但是不知道Vp 和 Vn是什么意思.

只看该作者 · 2014-4-8 19:30

yanwen217 发表于 2014-4-8 19:22
TC7S14F 在5V供电下的高电平远高于1.8V；
其实可以用负载开关，5V供电下 1.8V就能识别为高电平了，用I/O直 ...

我原来用过一个负载开关(飞兆的)
不知道怎么的, 冒烟过, 所以不敢用了. (原因不知道, 不知道是我虚焊还是电路没有画对).

你这个负载开关是高电平开启, 可是我担心即使用了4.7k下拉电阻, 他依然开启. 手边也没有这个负载开关, 不好做实验.

谢谢!

1万 · 2014-4-8 19:37

TC7S14F 的规格看着真他妈费神！
Vp 和 Vn就是正门限电压和负门限电压，我理解就是输入的高电压和低电压。这种小逻辑功耗倒是不大，都是几个uA的水平

只看该作者 · 2014-4-8 19:42

yanwen217 发表于 2014-4-8 19:37
TC7S14F 的规格看着真他妈费神！
Vp 和 Vn就是正门限电压和负门限电压，我理解就是输入的高电压和低电压。 ...

VP和VN是指我的 IO口电压还是Vcc电源呢?

如果是IO口电压, Vp是高电平的意思吗?

我的电子电路知识太差了, 抱歉.

1万 · 2014-4-8 19:43

是I/O过来的电压，Vp就是高电平的门限电压

1万 · 2014-4-8 19:46

早期的负载开关很多都不带防倒灌功能，冒烟正常。
有一种反相器是可以的，型号忘记了，到NXP的网站上找找，输入高电平的电压可以低到1.5V左右

只看该作者 · 2014-4-8 19:46

本帖最后由 vcxz_1982 于 2014-4-8 19:49 编辑

yanwen217 发表于 2014-4-8 19:43
是I/O过来的电压，Vp就是高电平的门限电压

哦, 那根据表格, Vp在Vcc=4.5V时, 最小要求2.3V, 我的IO只有1.8v达不到.

这个非门IC还不能用了.

但是有个疑问: 那Vn 在VCC=4.5V时, 最大2.0V, 这难道是说低电平最大2.0V?

谢谢你的回复!

只看该作者 · 2014-4-8 20:00

驱动PNP吧,在B上串个合适的稳压二极管.

只看该作者 · 2014-4-8 20:13

yanwen217 发表于 2014-4-8 19:46
早期的负载开关很多都不带防倒灌功能，冒烟正常。
有一种反相器是可以的，型号忘记了，到NXP的网站上找找， ...

嗯, 谢谢, 刚刚根据你提供的意思, 找到一些资料, 大概理解了CMOS的高低电平.

CMOS一般都是在50%的Vcc电压作为分界.

所以V4.5时, 2.0V算作低电平很正常.

非常感谢!

只看该作者 · 2014-4-8 20:20

diy1997 发表于 2014-4-8 20:00
驱动PNP吧,在B上串个合适的稳压二极管.

这种方式, 在待机时(IO为输入高组态)时, 功耗大不大? 如果不大, 能给个图吗?

只看该作者 · 2014-4-8 20:37

vcxz_1982 发表于 2014-4-8 20:20
这种方式, 在待机时(IO为输入高组态)时, 功耗大不大? 如果不大, 能给个图吗?

...

求一个驱动3.3~5V的开关电路, 要求:低电平导通, 高电平截止.

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