一种电磁阀光耦电路设计，不太理解，求大神指导

发表于 2014-4-10 19:41

CPLD_P1=1,G_K1=1,MGE2=0,D1 ERROR

发表于 2014-4-10 20:08

哪里不理解？
cpld的信号不足以驱动mos 加光耦 1是为了信号隔离 2 抬高了mos的驱动信号

发表于 2014-4-10 22:27

R31，37，43，49是耦输入负载，根据光耦不同选5mA左右，所以选1K。用24V是因为多数电磁阀都是24V的，GK1-GK4为什么选12K和2K，你用欧姆定律算一下就知道，他的分压输出可以达到4V左右，可以良好驱动场管，同时2K电阻可以做很好的下拉作用，以让场管稳定工作而不至于损坏。场管的作用是什么：哪就是隔离输出和功率输出。D1，D3，D5，D7是输出保护电路。

发表于 2014-4-22 11:16

侠客电子发表于 2014-4-10 22:27
R31，37，43，49是耦输入负载，根据光耦不同选5mA左右，所以选1K。用24V是因为多数电磁阀都是24V的，GK1-GK ...

场管的栅级输入4v，怎么保证漏极输出在24v左右。

mo704507064 · 发表于 2014-4-22 12:27

参数、选型是不大合理，但电路在某些条件还是可以正常工作的。
IR7341的开启电压可以低到1.xV，在4.5V时导通电阻小于65毫欧。
查PDF 曲线在3V电压驱动时就可以过数安培电流。当然工况肯定不好。

发表于 2014-5-12 09:41

wh6ic 发表于 2014-4-22 12:27
参数、选型是不大合理，但电路在某些条件还是可以正常工作的。
IR7341的开启电压可以低到1.xV，在4.5V时导 ...

场管产生的电流过大对电磁阀有没有影响?

发表于 2014-5-12 12:36

场管不会产生电流
会不会对阀有影响要看阀的具体参数，还有操作频率...

mo704507064 · 发表于 2014-5-13 09:56

光耦前后共地？
四个二极管方向是不是接错了？

发表于 2014-5-15 17:13

naofei67 发表于 2014-5-12 12:36
场管不会产生电流
会不会对阀有影响要看阀的具体参数，还有操作频率...

我的意思是漏源电流貌似太大了。。

发表于 2014-5-15 17:19

corset 发表于 2014-5-13 09:56
光耦前后共地？
四个二极管方向是不是接错了？

二极管方向没错啊

发表于 2014-5-15 17:31

这图太难懂了啊！不是一般人能看懂得

发表于 2014-5-15 21:43

mo704507064 发表于 2014-5-15 17:13
我的意思是漏源电流貌似太大了。。

我写的源漏电流值是其可以通过的电流数值，不是具体电路中通过的电流值。
一般电磁阀线圈是2~3W，24V电源，电流约一百来毫安，你的电路中光耦开启时Vgs约4V，此时MOSFET的导通电阻远低于一欧，串接在回路中，相当开关导通，电磁阀可以正常动作。

真是奇葩...才看到你的具体问题，居然是图片的文件名...
电路中左侧电阻为光耦输入限流电阻，如果CPLD输出有效电平为3.3V，则减去光耦二极管的正向压降1.1V，则电流为（3.3-1.1）/1K = 2.2mA，在光耦输入的有效范围内，也在CPLD高电平输出电流范围内；
光耦输出的两组电阻，2K的是MOSFET的关断电阻，在光耦关闭时泄放MOSFET栅极电荷，关闭MOSFET；10K是限流电阻和分压电阻，因为MOSFET栅极耐压小于24V，所以需要将加在栅极的电压降下来，另外光耦一般传输比大约为1:1，所以设计输出侧电流约2mA；
选择24V的原因可能性很多，就不好随便断言了；
场管是当CPLD控制的开关，驱动电磁阀的；
右侧的电阻、二极管是续流吸收回路，吸收电磁阀线圈在关闭时释放的能量避免损坏MOSFET，不过一般不建议使用1N4007，可以用1N4148或1N5819之类的快速二极管。
另外说一句：图上标的 IN4007 不知道是哪个笨人第一个搞错的，91年就看到有仓库的小丫头这样抄，流毒至今。

发表于 2017-3-24 09:10

naofei67 发表于 2014-5-15 21:43
我写的源漏电流值是其可以通过的电流数值，不是具体电路中通过的电流值。
一般电磁阀线圈是2~3W，24V电源 ...

牛

一种电磁阀光耦电路设计，不太理解，求大神指导

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