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[STM32F2]

难道STM32F207的内部FLASH不如外接的SPI flash读写速度快？！

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楼主
liyang121316|  楼主 | 2014-4-17 19:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
spi, STM32F207, FLASH读写, 接口, SPI接口
我进行了如下实验，二者是都能正常读写出数据的，操作都是先擦除再写入数据，我对内部flash是按着16K擦除的，对外部flash是按照64k擦除的，结果：内部FLASH读写的时候机器明显很卡，把功能移到外部SPI接口的FLASH之后发现程序就不卡了，难道说外部的FLASH比内部的还快，不太可能吧，这个有没有个参考值或者参数什么的？

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沙发
mmuuss586| | 2014-4-17 19:23 | 只看该作者

没对比过。
我拿内部FLASH当EEPROM用，确实挺慢的

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板凳
_编程浪子| | 2014-4-17 20:10 | 只看该作者
感觉内部的应该更快才对啊。
不过只是个感觉，没做过具体的实验。

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地板
liyang121316|  楼主 | 2014-4-17 21:05 | 只看该作者
_编程浪子 发表于 2014-4-17 20:10
感觉内部的应该更快才对啊。
不过只是个感觉，没做过具体的实验。

我也是觉得内部的应该更快一下啊！ST的东西不能这么挫吧？

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5楼
myxiaonia| | 2014-4-17 22:08 | 只看该作者
内部的操作flash时内核是挂起的，没有响应，当然感觉慢了

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6楼
pattywu| | 2014-4-18 01:45 | 只看该作者
5楼的说法是正确的。

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7楼
liyang121316|  楼主 | 2014-4-18 08:12 | 只看该作者
本帖最后由 liyang121316 于 2014-4-18 08:17 编辑
myxiaonia 发表于 2014-4-17 22:08
内部的操作flash时内核是挂起的，没有响应，当然感觉慢了

那就是说确实慢呗？操作外部的FLASH的时候，内核会轻松的干别的吗？请问有没有相关资料能看下？或是深入指点一二。

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8楼
沧海一笑| | 2014-4-18 08:37 | 只看该作者
操作内部FLASH应该是比外部快啊...有时间做个试验.

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9楼
shizaigaole| | 2014-4-18 10:24 | 只看该作者
读应该非常快。
擦除，写应该非常慢，远远不如外部

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10楼
香水橙| | 2014-4-18 10:51 | 只看该作者
内部Flash的基本功能定位于读，而不是擦除和写入，LZ的测试结果不奇怪。

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11楼
大秦正声| | 2014-4-18 16:24 | 只看该作者
shizaigaole 发表于 2014-4-18 10:24
读应该非常快。
擦除，写应该非常慢，远远不如外部

说的是！
可以对比相关的手册说明！

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12楼
myxiaonia| | 2014-4-18 20:40 | 只看该作者
liyang121316 发表于 2014-4-18 08:12
那就是说确实慢呗？操作外部的FLASH的时候，内核会轻松的干别的吗？请问有没有相关资料能看下？或是深入指 ...

我说的操作是指写或者擦除操作，不是读啊呵呵，内部读应该也是比外部读快啊，外部用fsmc没内部代码总线快吧

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13楼
liyang121316|  楼主 | 2014-4-20 22:30 | 只看该作者
找到了相关的参数（如图）并且进行了实验。确实按字擦除的时候，硬件跟踪发现207擦除一个16K的扇区需要200ms,而另一103的资料说擦除1K大小的页是40ms.二者相差最少5倍。

C%5MKK[LPBP]VW4_Z~ZY(EE.jpg (258.72 KB )

C%5MKK[LPBP]VW4_Z~ZY(EE.jpg

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