MOS开关电路仿真波形求指导

登录 · 发表于 2014-4-23 09:41

这是这个小电路图

这个是仿真的输入和MOS栅极波形，为什么栅极波形有个凸起的？

请问这是米勒平台效应吗？

这是凸起的那个不是很明白请大家指点下
谢谢

发表于 2014-4-23 09:48

小平台是由于米勒电容引起的。功率MOS管仅在这里是处于放大状态。

发表于 2014-4-23 09:51

后一图的凸起，同样是米勒电容引起的。

发表于 2014-4-23 10:13

谢谢您的回复
我问下栅极的电阻不会对这个平台有影响吗？我对这个电阻阻值做了修改看波形变化不大
米勒效应是否会增加开关损耗，在工程应用中如何考量呢？

发表于 2014-4-23 10:24

我知道的
mos的损耗主要是上升损耗(开通损耗) Ton损耗和下降损耗(关断损耗)
一般电源上为了EMI 会人为在mos上串电阻就是增加开通时间减小mos的辐射能量所以说会人为增加开通损耗来过EMI

登录 · 发表于 2014-4-23 10:46

现在我增加了一个P管，看驱动波形，关断下降沿并没有变陡峭

发表于 2014-4-23 10:53

ql1007 发表于 2014-4-23 10:13
谢谢您的回复
我问下栅极的电阻不会对这个平台有影响吗？我对这个电阻阻值做了修改看波形变化不大
米勒效 ...

首帖图中R2当然会对这个平台有影响。
但R2影响不如R4大。很明显，MOS开通靠R4上拉，关断靠Q2下拉。R4数值那么大，MOS开通当然不能很快，这会影响MOS管损耗。

登录 · 发表于 2014-4-23 10:57

错了刚才加的不对
现在做更改后

下降沿变陡峭了有个坑不知道有影响吗

像诸位在应用中是希望驱动开通时平缓点下降陡峭点还是都陡峭呢

发表于 2014-4-23 10:58

ql1007 发表于 2014-4-23 10:24
我知道的
mos的损耗主要是上升损耗(开通损耗) Ton损耗和下降损耗(关断损耗)
一般电源上为了EMI 会人为在m ...

MOS管在开关频率较低时，导通损耗占主要地位。开关频率较高时，开通损耗和关断损耗占主要地位。
你说的串电阻，是指在G极上串电阻(例如首帖图R2)吧？如果是，此电阻会增加开通损耗，也会增加关断损耗(开通和关断都变慢)。

发表于 2014-4-23 11:01

ql1007 发表于 2014-4-23 10:57
错了刚才加的不对
现在做更改后

现在还是不对。
加Q3目的是什么？是想让MOS管G极放电(MOS关断)快一些，还是想让MOS管G极充电(MOS开通)快一些？无论是哪个目的，此电路都无法实现。

发表于 2014-4-23 11:41

放个加速电容试试。注意加速电容的取值哦，具体怎么取网上有个周立功的文旦说的十分详细

发表于 2014-4-23 14:19

maychang 发表于 2014-4-23 11:01
现在还是不对。
加Q3目的是什么？是想让MOS管G极放电(MOS关断)快一些，还是想让MOS管G极充电(MOS开通)快 ...

版主请问下我加Q3的目的是想让MOS的栅极放电速度快些，这个电路不能实现吗？
我仿真看波形关断时的确变陡峭了

发表于 2014-4-23 16:42

ql1007 发表于 2014-4-23 14:19
版主请问下我加Q3的目的是想让MOS的栅极放电速度快些，这个电路不能实现吗？
我仿真看波形关断时的确 ...

加Q3后MOS管G极放电是快了一点，但充电却慢得多了。

发表于 2014-4-23 18:19

ql1007 发表于 2014-4-23 10:13
谢谢您的回复
我问下栅极的电阻不会对这个平台有影响吗？我对这个电阻阻值做了修改看波形变化不大
米勒效 ...

栅极电阻会影响米勒平台的时间。。。

发表于 2014-4-29 09:20

多谢诸位的指点已经解决了谢谢

发表于 2014-4-29 09:28

多谢诸位的指点已经解决了谢谢

发表于 2014-4-29 09:29

多谢诸位的指点已经解决了谢谢

发表于 2014-4-29 11:01

为啥不说最终解决方法，不知道你怎么解决的。。。

发表于 2014-4-30 10:56

没有，最后还是用的我8楼的图，能用，就没研究了
谢谢

发表于 2014-9-2 17:38

elecinfo.com/gonglve/fangzhen。html
自己整理的仿真技术资料，希望对你有帮助~