求助，关于串联电容仿真和实际测量的差异

只看该作者 · 2014-4-26 09:00

红色数字为实际测量值。和仿真的值差比较大，请问是什么原因造成的呢？pcb走线，贴片电阻电容，实际运放是sgm8054（单位增益250Mhz）。
最终实际输出为420mV

频谱曲线和设计是一致的。手动扫频测试了中心频率正好是1Mhz，其它频率的衰减情况也差不多，有一点差异但不大。就是放大倍数为什么误差比较大呢？特别是第二测量点，误差有点大。单独测量电容（第二个测试点断开）和上面情况一样的。专门测了下电容，也是足值的，有216pF。求指导

1万 · 2014-4-26 10:50

你弄个22p再看

只看该作者 · 2014-4-26 11:55

Lgz2006 发表于 2014-4-26 10:50
你弄个22p再看

22p的衰减更厉害，10mV进，1.8mV出
2200p的，10mV进，9.4mV出
10u的就完全没衰减了

只看该作者 · 2014-4-26 12:24

Lgz2006 发表于 2014-4-26 10:50
你弄个22p再看

问题是加大了电容，带通的中心频率就跑偏了啊
用multisim和Filter Solutions设计出来的仿真来看，220p走1Mhz也没衰减的

3万 · 2014-4-26 12:37

分布参数的影响吧？

只看该作者 · 2014-4-27 16:21

没人知道吗