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[电路/定理]

求助,关于串联电容仿真和实际测量的差异

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ourstory|  楼主 | 2014-4-26 09:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

红色数字为实际测量值。和仿真的值差比较大,请问是什么原因造成的呢?pcb走线,贴片电阻电容,实际运放是sgm8054(单位增益250Mhz)。
最终实际输出为420mV

频谱曲线和设计是一致的。手动扫频测试了中心频率正好是1Mhz,其它频率的衰减情况也差不多,有一点差异但不大。就是放大倍数为什么误差比较大呢?特别是第二测量点,误差有点大。单独测量电容(第二个测试点断开)和上面情况一样的。专门测了下电容,也是足值的,有216pF。求指导

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沙发
Lgz2006| | 2014-4-26 10:50 | 只看该作者
你弄个22p再看

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板凳
ourstory|  楼主 | 2014-4-26 11:55 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-4-26 10:50
你弄个22p再看

22p的衰减更厉害,10mV进,1.8mV出
2200p的,10mV进,9.4mV出
10u的就完全没衰减了

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Lgz2006 2014-4-26 11:59 回复TA
这不就得了,还要指导什么呢? 
地板
ourstory|  楼主 | 2014-4-26 12:24 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-4-26 10:50
你弄个22p再看

问题是加大了电容,带通的中心频率就跑偏了啊
用multisim和Filter Solutions设计出来的仿真来看,220p走1Mhz也没衰减的

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5
maychang| | 2014-4-26 12:37 | 只看该作者
分布参数的影响吧?

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wddn 2014-4-26 13:44 回复TA
你问lz。lz问谁啊? 不懂就不要乱发言。 好吧? 你们缝纫技术学小?怎么教你们的呢?  
6
ourstory|  楼主 | 2014-4-27 16:21 | 只看该作者
没人知道吗

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