半导体器件对温度最敏感。在高温条件下，晶体管的H F E 随温度升高而增大， 从而引起工作点漂移、增益不稳，造成电子仪器性能不稳定，产生漂移失效。
由于温度升高，使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大，又会使I c 电流增大。I c 增大又促使晶体I c b o、I ceo、I c 电流增加，形成恶性循环，直到晶体管烧毁，使仪器造成严重失效（对晶体管的不良影响）。
晶体管在低温下工作，h F E 将随温度的降低而减。在低温- 5 5 ℃条件下，一般晶体管的增益平均下降4 0 % 左右，有一些器件失去了放大
能力，有一些器件造成致命失效。
据美国空军做的研究表明，机载电子仪器有2 0 % 的现场失效，是由温度效应引起的。在( M I L - H D B K -2 1 7 )《电子设备可靠性预计手册》
中列出了1 4 种元器件的失效数据，其中有8 种元器件的失效率取决于温度。
它们是分立半导体器体、集成电路、电阻器、电容器、电感器、转动元件、继电器和联接装置。这8 种元器件，占据了电子仪器中全部电子元器件的绝大部分。
我们在使用电子仪器时，如果环境温度超过设备规定的允许温度范围，将造成电子仪器失效。
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