求一个常见的续流二极管

只看该作者 · 2014-5-7 11:15

反向电压600v，恢复时间<75ns.

2万 · 2014-5-7 13:15

反向电压600v很容易，恢复时间<75ns，一般1N400X估计不行，你可以自己看看1N4007手册，如果快恢复，600V可能就有难度。

只看该作者 · 2014-5-7 13:33

yewuyi 发表于 2014-5-7 13:15
反向电压600v很容易，恢复时间

恩，是啊，恢复时间1N4007手册上面都没有说

只看该作者 · 2014-5-7 13:48

本帖最后由 DianGongN 于 2014-5-7 14:00 编辑

BYV26C 1A600V 30nS
ISL9K460P3 4A600V 17nS
VS-5EWX06FN-M3 5A600V 14nS

1万 · 2014-5-7 14:10

1N4000是1kH以下整流菅，不保证反向恢复时间。而普通快恢管也在uS级

3万 · 2014-5-7 14:27

colin111111 发表于 2014-5-7 13:33
恩，是啊，恢复时间1N4007手册上面都没有说

不知道你看到的是哪个版本。
记得当初手册上说，用于1kHz以下。
我实测过，大部分反向恢复时间在20～40us之间。

2万 · 2014-5-7 14:39

maychang 发表于 2014-5-7 14:27
不知道你看到的是哪个版本。
记得当初手册上说，用于1kHz以下。
我实测过，大部分反向恢复时间在20～40us ...

麦老板，20～40us有电流、温度等要求吗？

我原来也查过，当时好像是查的ONS的4007手册，手册上是没有给出的，不知道这个时间是不是可以信赖。

1万 · 2014-5-7 14:45

找肖特基管

1万 · 2014-5-7 14:50

4000没有这个要求，也即什么也不保证。俺见过低于10uS的，但什么也说明不了
小**儿没这么高电压

3万 · 2014-5-7 14:52

yewuyi 发表于 2014-5-7 14:39
麦老板，20～40us有电流、温度等要求吗？

我原来也查过，当时好像是查的ONS的4007手册，手册上是没有给 ...

1N4000系列本来就是工频整流管，对反向恢复时间要求不是很严格。
我测量时的条件和快速整流管测试条件相差比较多，这个数值仅可供参考。

顺便说一句，测过一批(大约100支)1N5406，里面多数反向恢复时间是数十us，但却有十几支短到2～3us左右，直到现在也不知道是怎么回事。

只看该作者 · 2014-5-7 14:53

BYV26C 1A600V 30nS
ISL9K460P3 4A600V 17nS
VS-5EWX06FN-M3 5A600V 14nS

上面3个型号的二极管，反向恢复时间分别是：30nS，17nS，14nS。
75nS没有问题。

下面是datasheet

byv26.pdf (116.34 KB)

ISL9K460P3.pdf (435.24 KB)

5ewx06fn.pdf (150.41 KB)

只看该作者 · 2014-5-7 14:54

yewuyi 发表于 2014-5-7 14:39
麦老板，20～40us有电流、温度等要求吗？

我原来也查过，当时好像是查的ONS的4007手册，手册上是没有给 ...

75nf属于pin二极管了，普通的二极管都是pn极的，恢复时间达不到要求

只看该作者 · 2014-5-7 14:56

colin111111 发表于 2014-5-7 14:54
75nf属于pin二极管了，普通的二极管都是pn极的，恢复时间达不到要求

上面都属于快恢复二极管，不是PIN二极管。
快恢复二极管也是PN结的

只看该作者 · 2014-5-7 15:08

DianGongN 发表于 2014-5-7 14:56
上面都属于快恢复二极管，不是PIN二极管。
快恢复二极管也是PN结的

度娘如是说：
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

只看该作者 · 2014-5-7 15:27

PIN二极管一般指高频二极管，和快恢复二极管没有联系。
我没有看到国外大公司这样归类的。
不知道有没有权威公司这样解释快恢复二极管。

只看该作者 · 2014-5-7 16:21

Lgz2006 发表于 2014-5-7 14:10
1N4000是1kH以下整流菅，不保证反向恢复时间。而普通快恢管也在uS级

us级的现在都不好意思叫快恢复管了。
起码要100ns左右的。

1万 · 2014-5-7 17:18

肖特基二极管和快恢复二极管的区别

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
这两种管子通常用于开关电源。

肖特基二极管和快恢复二极管的区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！

前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电气特性当然都是二极管！
快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.

1万 · 2014-5-7 17:19

刚才搜的，没看到你能用的。

1万 · 2014-5-7 17:21

找到了，网上好多。

　快速恢复二极管（FRD）
　　能够迅速由导通状态过渡到关断状态的PN结整流二极管，称为快恢复二极管，这种二极管的特点是反向恢复时间短，典型的200v/30 A快恢复二极管，其trr<1μs。

　　超快恢复二极管（UFRD）
　　超快恢复二极管的反向恢复时间更短，一般trr＝50ns（不同电流和电压规格的UFRD，其trr是不同的）。PN结式UFRD的优点是：正向导通损耗小，结电容小,工作温度可以较高。、

　　例如，型号为IN6620～IN6631的高电压超快恢复二极管（PIV≈1000 V）：trr为35ns或50ns，并且在高温下反向电流小、正向恢复电压低，适用于高电压输出（要求PIV为600V）的PWM开关转换器。型号为 1N5802～1N5816，1N6304～1N6306的UFRD：PIV≤400V，可以用于20V或48V输出（要求二极管的反向额定电压分别为 150V和400V）的PWM开关转换器。

1万 · 2014-5-7 17:22

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BYC8-600.pdf

求一个常见的续流二极管

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