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求解：mos管频频被烧

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楼主
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-7 21:42 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电路, AC, 信号, vi
本帖最后由 heqiangbb 于 2014-5-8 08:25 编辑

先上图：



1.选用的IRF9392参数  Vgs（th）=-2.5V,Vgs(max)=±25V，Vds（max）=-30V，其他参数应该和本问题没有关系。
2.问题描述：a。无输入时启动，Vout无输出,没有问题，符合电路设计。
                    b。启动后输入高电平（24V）信号，PMOS管直接烧掉，DS两端烧短路
3.实验内容补充，以以下两个电路进行测试，PMOS管安全。。。
a。下电路Vout=24V

b.下电路无输出



4.输入信号部分电路分解

上电路所示，实际测量得，Vin=0V时Vout=24V；Vin=24V时Vout=8.2V

上面是我的问题描述以及自己分解电路做的实验结果，结果显示电路分拆进行测试并无问题，为什么合在一起就会烧掉mos管，哎烧掉好几只了。。。。
望高手指引。。。。。拜谢



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沙发
qq986433936| | 2014-5-7 23:38 | 只看该作者
楼主发了传说中的硬盘图。其他朋友看不到不要再刷新页面了。

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板凳
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 07:56 | 只看该作者
不好意思，补图。。。。

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地板
william008| | 2014-5-8 09:21 | 只看该作者
你把R1和R2都缩小20倍，R3和R4缩小10倍，再试试看

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5楼
不亦心| | 2014-5-8 09:38 | 只看该作者
开关频率？

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6楼
myf3659| | 2014-5-8 09:47 | 只看该作者
不用放掉mos管栅极寄生电容上的电荷吗？

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7楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:20 | 只看该作者
william008 发表于 2014-5-8 09:21
你把R1和R2都缩小20倍，R3和R4缩小10倍，再试试看

不敢试了，只有2只PMOS了，能说下你这样认为的原因么，难道觉得电流的问题，我测试时加的外部负载时1A的电磁阀，电磁阀侧也有TVS，应该不是负载的问题，现在主要是分解电路测都没有问题，结果合一起就有问题了，应该是三极管这个输入电路对mos管有什么影响

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8楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:23 | 只看该作者
不亦心 发表于 2014-5-8 09:38
开关频率？

和频率没有关系，一次高电平输入就烧掉mos管，我觉得会不会是高电平信号输入瞬间三极管有什么大的反应，比如产生大电流或者高电压之类的，pmos管被瞬间烧坏，具体体现为DS被烧短路，会不会是瞬间电流太大击穿DS极了

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9楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:25 | 只看该作者
myf3659 发表于 2014-5-8 09:47
不用放掉mos管栅极寄生电容上的电荷吗？

你说的是在GS端加一个电阻么，好像也意义不大，还是在栅极加一个电容，这个实验我做了，一样烧掉了mos管

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10楼
yimaoqian01| | 2014-5-8 10:34 | 只看该作者
额，看来还需要好好学习。

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11楼
myf3659| | 2014-5-8 10:36 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:25
你说的是在GS端加一个电阻么，好像也意义不大，还是在栅极加一个电容，这个实验我做了，一样烧掉了mos管 ...

会不会是栅极电荷泄放不掉，导致是100K电阻上的电压和寄生电容上的电压叠加导致GS间过压导致的。
不过，你说第一次上电就烧，此时栅极电容还没有电荷累计，所以以上分析应该不对。

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12楼
zrn168168| | 2014-5-8 10:41 | 只看该作者
无语

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13楼
戈卫东| | 2014-5-8 10:55 | 只看该作者
“烧掉”能不能说详细点？是立即烧掉，还是过一段时间？多长时间？

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14楼
宋业科| | 2014-5-8 11:17 | 只看该作者
GS电压多少伏，耐压多少伏。

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15楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:50 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-8 10:55
“烧掉”能不能说详细点？是立即烧掉，还是过一段时间？多长时间？

输入信号一拉高（24V）立刻就烧掉了，烧得无声无息的，断电后焊下mos管用万用表测量DS端短路

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16楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:51 | 只看该作者
宋业科 发表于 2014-5-8 11:17
GS电压多少伏，耐压多少伏。

VGS（max）=正负25V；按我这个电路mos管工作的时候VGS应该是-16V左右

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17楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:59 | 只看该作者
myf3659 发表于 2014-5-8 10:36
会不会是栅极电荷泄放不掉，导致是100K电阻上的电压和寄生电容上的电压叠加导致GS间过压导致的。
不过， ...

嗯我也感觉不是栅极电荷没有释放掉导致Vgs过高的这个原因，看来还是有其他问题

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18楼
cos12a| | 2014-5-8 12:27 | 只看该作者
本帖最后由 cos12a 于 2014-5-8 12:28 编辑

william008 发表于 2014-5-8 09:21
你把R1和R2都缩小20倍，R3和R4缩小10倍，再试试看

heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了，只有2只PMOS了，能说下你这样认为的原因么，难道觉得电流的问题，我测试时加的外部负载时1A的 ...


良药苦口啊.

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19楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 12:37 | 只看该作者
cos12a 发表于 2014-5-8 12:27
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了，只有2只PMOS了，能说下你这样认为的原因么，难道觉得电流的问 ...

下午我测试下吧，减小电阻值，到时候再来说结果

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20楼
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 13:01 | 只看该作者
cos12a 发表于 2014-5-8 12:27
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了，只有2只PMOS了，能说下你这样认为的原因么，难道觉得电流的问 ...


刚才按你说的测试了，R1,R2减少20倍，R3,R4减少10倍。。。。。。结果还是烧掉了:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(只剩下最后一只pmos了


大哥，你的良药不仅苦口还苦心啊

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