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求解:mos管频频被烧

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楼主
本帖最后由 heqiangbb 于 2014-5-8 08:25 编辑

先上图:



1.选用的IRF9392参数  Vgs(th)=-2.5V,Vgs(max)=±25V,Vds(max)=-30V,其他参数应该和本问题没有关系。
2.问题描述:a。无输入时启动,Vout无输出,没有问题,符合电路设计。
                    b。启动后输入高电平(24V)信号,PMOS管直接烧掉,DS两端烧短路
3.实验内容补充,以以下两个电路进行测试,PMOS管安全。。。
a。下电路Vout=24V

b.下电路无输出



4.输入信号部分电路分解

上电路所示,实际测量得,Vin=0V时Vout=24V;Vin=24V时Vout=8.2V

上面是我的问题描述以及自己分解电路做的实验结果,结果显示电路分拆进行测试并无问题,为什么合在一起就会烧掉mos管,哎烧掉好几只了。。。。
望高手指引。。。。。拜谢



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沙发
qq986433936| | 2014-5-7 23:38 | 只看该作者
楼主发了传说中的硬盘图。其他朋友看不到不要再刷新页面了。

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板凳
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 07:56 | 只看该作者
不好意思,补图。。。。

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地板
william008| | 2014-5-8 09:21 | 只看该作者
你把R1和R2都缩小20倍,R3和R4缩小10倍,再试试看

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5
不亦心| | 2014-5-8 09:38 | 只看该作者
开关频率?

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6
myf3659| | 2014-5-8 09:47 | 只看该作者
不用放掉mos管栅极寄生电容上的电荷吗?

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7
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:20 | 只看该作者
william008 发表于 2014-5-8 09:21
你把R1和R2都缩小20倍,R3和R4缩小10倍,再试试看

不敢试了,只有2只PMOS了,能说下你这样认为的原因么,难道觉得电流的问题,我测试时加的外部负载时1A的电磁阀,电磁阀侧也有TVS,应该不是负载的问题,现在主要是分解电路测都没有问题,结果合一起就有问题了,应该是三极管这个输入电路对mos管有什么影响

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8
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:23 | 只看该作者
不亦心 发表于 2014-5-8 09:38
开关频率?

和频率没有关系,一次高电平输入就烧掉mos管,我觉得会不会是高电平信号输入瞬间三极管有什么大的反应,比如产生大电流或者高电压之类的,pmos管被瞬间烧坏,具体体现为DS被烧短路,会不会是瞬间电流太大击穿DS极了

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9
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 10:25 | 只看该作者
myf3659 发表于 2014-5-8 09:47
不用放掉mos管栅极寄生电容上的电荷吗?

你说的是在GS端加一个电阻么,好像也意义不大,还是在栅极加一个电容,这个实验我做了,一样烧掉了mos管

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10
yimaoqian01| | 2014-5-8 10:34 | 只看该作者
额,看来还需要好好学习。

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11
myf3659| | 2014-5-8 10:36 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:25
你说的是在GS端加一个电阻么,好像也意义不大,还是在栅极加一个电容,这个实验我做了,一样烧掉了mos管 ...

会不会是栅极电荷泄放不掉,导致是100K电阻上的电压和寄生电容上的电压叠加导致GS间过压导致的。
不过,你说第一次上电就烧,此时栅极电容还没有电荷累计,所以以上分析应该不对。

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12
zrn168168| | 2014-5-8 10:41 | 只看该作者
无语

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13
戈卫东| | 2014-5-8 10:55 | 只看该作者
“烧掉”能不能说详细点?是立即烧掉,还是过一段时间?多长时间?

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14
宋业科| | 2014-5-8 11:17 | 只看该作者
GS电压多少伏,耐压多少伏。

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15
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:50 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-8 10:55
“烧掉”能不能说详细点?是立即烧掉,还是过一段时间?多长时间?

输入信号一拉高(24V)立刻就烧掉了,烧得无声无息的,断电后焊下mos管用万用表测量DS端短路

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16
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:51 | 只看该作者
宋业科 发表于 2014-5-8 11:17
GS电压多少伏,耐压多少伏。

VGS(max)=正负25V;按我这个电路mos管工作的时候VGS应该是-16V左右

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17
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 11:59 | 只看该作者
myf3659 发表于 2014-5-8 10:36
会不会是栅极电荷泄放不掉,导致是100K电阻上的电压和寄生电容上的电压叠加导致GS间过压导致的。
不过, ...

嗯我也感觉不是栅极电荷没有释放掉导致Vgs过高的这个原因,看来还是有其他问题

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18
cos12a| | 2014-5-8 12:27 | 只看该作者
本帖最后由 cos12a 于 2014-5-8 12:28 编辑

william008 发表于 2014-5-8 09:21
你把R1和R2都缩小20倍,R3和R4缩小10倍,再试试看

heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了,只有2只PMOS了,能说下你这样认为的原因么,难道觉得电流的问题,我测试时加的外部负载时1A的 ...


良药苦口啊.

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19
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 12:37 | 只看该作者
cos12a 发表于 2014-5-8 12:27
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了,只有2只PMOS了,能说下你这样认为的原因么,难道觉得电流的问 ...

下午我测试下吧,减小电阻值,到时候再来说结果

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20
heqiangbb|  楼主 | 2014-5-8 13:01 | 只看该作者
cos12a 发表于 2014-5-8 12:27
heqiangbb 发表于 2014-5-8 10:20
不敢试了,只有2只PMOS了,能说下你这样认为的原因么,难道觉得电流的问 ...


刚才按你说的测试了,R1,R2减少20倍,R3,R4减少10倍。。。。。。结果还是烧掉了:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(:'(只剩下最后一只pmos了


大哥,你的良药不仅苦口还苦心啊

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