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求解:mos管频频被烧

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楼主: heqiangbb
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huazhanjun| | 2014-5-8 20:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
Vgd反偏不要太大,考虑R1用几k的电阻,或改变输出极性。看看资料

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hoyuet4712| | 2014-5-9 08:09 | 只看该作者

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hoyuet4712| | 2014-5-9 08:19 | 只看该作者
往发射极上加个电阻试试

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yangdiandong| | 2014-5-9 10:34 | 只看该作者
heqiangbb 发表于 2014-5-8 19:43
嗯受教了,不过如果是感生电动势的原因,为什么没有加三极管输入回路的时候,电路没有出现烧mos管的情况 ...

没加三极管时,的的mos是跟随者24v的上电斜坡慢慢打开的,DV/DT比较小。你可以试试在三极管基极与地之间接几uf电容做个软启动软关停,只要开关的频率不高(不高于10hz)应用没啥问题。但续流二极管还是要的防止24v意外掉电时做续流

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huyang2| | 2014-5-9 11:31 | 只看该作者
在上电瞬间流过R1上的电流有可能比较大,用示波器看一下输入从有到无的波形

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鸟鸟| | 2014-5-9 20:32 | 只看该作者

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zhangyu198530| | 2014-5-10 09:25 | 只看该作者
感觉30楼说的很有道理哦呵呵

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松山归人| | 2014-5-10 16:08 | 只看该作者

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yjiao| | 2014-5-13 11:37 | 只看该作者
像这个种一开机就烧PMOS的,大部分都是因为电压超过VDS的上限值,我觉得还是得从后面的负载去考虑,还有提高管子的VDS

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Jinss| | 2014-5-14 23:58 | 只看该作者
菜鸟一只,斗胆现眼。
Vout串个电阻。

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