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[电子元器件]

请教MOS导通电阻？？

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楼主
小小IC|  楼主 | 2014-5-12 14:14 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, 导通电阻, AC, 电压, 电路
本帖最后由 小小IC 于 2014-5-13 12:45 编辑

请问这个电路能满足VI可以在5—20V之间调节，测量MOS在不同电压下的导通电阻吗？MOS在工作时 ，Vgs一定要小于Vds吗？


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沙发
Lgz2006| | 2014-5-12 14:23 | 只看该作者
“Vgs一定要小于Vds”有这说儿？

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板凳
戈卫东| | 2014-5-12 14:35 | 只看该作者
不超过击穿电压都没问题。。。。
不过没有必要，到12V已经足够了，再增加导通电阻也不会降低了。

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地板
zkybuaa| | 2014-5-12 15:40 | 只看该作者
还是别真的搞了。

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5楼
tgi8i| | 2014-5-12 15:48 | 只看该作者
首先  不会烧管子 因为Ugs的击穿电压高于12V    这个要查资料   但是没必要  MOS管一般在5V就可以导通了

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6楼
DianGongN| | 2014-5-12 21:31 | 只看该作者
一定要小于Vds吗？
没有这个说法。
VI控制在12V以内。datasheet上面有限制

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7楼
serverstl| | 2014-5-12 21:36 | 只看该作者
如果Vgs最大20V的话。

Vgs增大到小于20V。

可以正常工作。

此时在线性电阻方式。

Vds可以小于Vgs。

小于Vgs-Vth就是进入线性。

电阻方式了。

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8楼
zkybuaa| | 2014-5-12 21:55 | 只看该作者
电阻的功耗受不了。
至于vds. vgs，这都不是个事。随便谁高谁低。

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评论
Lgz2006 2014-5-13 07:13 回复TA
通常正是“脉冲试验”，电阻耗散不是个事儿 
9楼
Lgz2006| | 2014-5-13 07:13 | 只看该作者
哦，编辑去掉“验证---”了
那“请问这个电路能满足吗？”满足傻啊？
若是在开关应用的“开”态，Vgs一定不小于Vds

基本是个伪命题，建议楼主重温重问

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10楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:43 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-5-12 14:23
“Vgs一定要小于Vds”有这说儿？

刚学习MOS，不太懂啊

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11楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:45 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2014-5-12 14:35
不超过击穿电压都没问题。。。。
不过没有必要，到12V已经足够了，再增加导通电阻也不会降低了。 ...

哦，谢谢

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12楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:46 | 只看该作者
Lgz2006 发表于 2014-5-13 07:13
哦，编辑去掉“验证---”了
那“请问这个电路能满足吗？”满足傻啊？
若是在开关应用的“开”态，Vgs一定不 ...

已改正，谢谢

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13楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:48 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2014-5-12 21:31
一定要小于Vds吗？
没有这个说法。
VI控制在12V以内。datasheet上面有限制

我的目的就是控制VI来测量不同电压下的导通电阻，但是供电太高会使Res1烧坏。所以想把电压降低点。

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14楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:49 | 只看该作者
zkybuaa 发表于 2014-5-12 21:55
电阻的功耗受不了。
至于vds. vgs，这都不是个事。随便谁高谁低。

电阻我用0.2欧姆50W的电阻串联。就是现在对于VGS和VDS的电压关系不明确

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15楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:51 | 只看该作者
serverstl 发表于 2014-5-12 21:36
如果Vgs最大20V的话。

Vgs增大到小于20V。

进入线性后会使测得的稻田电阻误差大吗，MOS导通电阻本来就小，一般都是数十毫Ω，540的小于77毫Ω。

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16楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:51 | 只看该作者
DianGongN 发表于 2014-5-12 21:31
一定要小于Vds吗？
没有这个说法。
VI控制在12V以内。datasheet上面有限制

哦，谢谢，我做做看

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17楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 12:52 | 只看该作者
tgi8i 发表于 2014-5-12 15:48
首先  不会烧管子 因为Ugs的击穿电压高于12V    这个要查资料   但是没必要  MOS管一般在5V就可以导通了 ...

恩恩，这个我知道，但是我想测量不同电压下MOS的导通电阻

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18楼
maychang| | 2014-5-13 14:15 | 只看该作者
小小IC 发表于 2014-5-13 12:52
恩恩，这个我知道，但是我想测量不同电压下MOS的导通电阻

实在没有什么必要。导通电阻是温度的函数，按照你的电路，管子发热量相当大(注意电阻的额定功率)，必然温度上升。结果是每次测量结果都不一样。另外，导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件)，厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖)。实际的管子，导通电阻可能比厂家给出的数值小一半。
要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流，参考红线标出的两个参数。

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19楼
凉凉| | 2014-5-13 17:26 | 只看该作者
VI 5~20V， MOS进线性了，Vgs应该不大吧。

你的Vgs太大了，MOS管在饱和区提供不了这么多电流，Vgs只能降低，管子进入线性区。Vgs，Vds要看管子的工作状态。

你的Res1 怎么取1 ohm， 这个时候MOS管也许在饱和区提供一个大电流说不定，8A的电流。取Vth=1V，Vgs=5V，Vds=4V的时候管子依然饱和，这个时候有8A的电流，用方程迭代，也许MOS管真提供这么大的电流，I=k(Vgs-Vth)^2,不过会烧器件吧。

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20楼
小小IC|  楼主 | 2014-5-13 21:09 | 只看该作者
凉凉 发表于 2014-5-13 17:26
VI 5~20V， MOS进线性了，Vgs应该不大吧。

你的Vgs太大了，MOS管在饱和区提供不了这么多电流，Vgs只能降 ...

我想做一个测量MOS管在不同Vgs电压下的导通电阻，请教有什么好的方法吗？

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