本帖最后由 FSL_TICS_A 于 2014-10-21 15:29 编辑
[经验分享]K系列的EEPROM备份区是否可以小于16倍的EEPROM 一， 问题描述 今天遇到一个客户，问了这个问题，所以在此和大家分享下。 关于kinetis K系列的eeprom，大家都知道，是使用flexRAM以及flexNVM分区组合模拟而成，但是在flexNVM中到底分配多少空间给eeprom作为备份区呢？当然，分配的越大对于擦写寿命越有好处。 而最小又能分配多少呢？ 从我们的reference manual中flash memory章节，看到这句话：
图1 意思就是，eeprom的备份区至少为flexRAM中eeprom大小的16倍，有些客户就想，如果使用的产品的flexNVM是32K, flexRAM是2K，然后配置EEPROM的大小为2K，那么16倍的eeprom的备份区就得要32K，则整个的flexNVM就都作为了备份区，这样就没有data flash区了。能否配置小点的eeprom备份区，从而留出部分的dataflash呢？ 二， 问题解答 其实，通过测试，也不一定要配置备份区为16倍的eeprom，当然，不能将备份区配置为0，这样eeprom就无法工作了。但是，如果备份区大小小于16倍的eeprom，那么相关eeprom的数据就不能直接参考datasheet了，datasheet的数据是备份区在16倍eeprom以上的。而且，擦写寿命肯定会缩短，具体缩短为多少，就没有定量了。所以，如果需要保证擦写寿命的话，建议大家还是使用16倍以上的备份区。
另外，由于模拟eeprom的技术，其实是需要每个字节至少16个字节的备份区，如果少于的话，在实际长期使用中，可能会出现写方面的问题，所以如果大家考虑到稳定性，最好还是备份16倍以上，如果读写次数不高的话，可以直接使用flash的方式读写，这样就会减低因为备份区的问题带来的风险。
三， 测试结果 本文以TWR-K20D70M开发板为测试平台，芯片为MK20DX256VLL7，测试是否可以使用小于16倍备份区的eeprom。该芯片的flexNVM为32KB, 地址为0x1000_0000 –0x1000_7FFF ，flexRAM的大小为2KB， 地址范围为：0x1400_0000 –0x1400_07FF。 配置eeprom大小（flexRAM）为2KB，配置flexNVM中的eeprom的备份区为16KB, dataflash也为16KB. 则，就需要配置FCC0B4=0x33， FCCOB5=0X02 代码功能是，在如下地址： #define LONGWORD_COUNTER_ADDR 0x14000040 #define WORD_COUNTER_ADDR 0x14000044 #define BYTE_COUNTER_ADDR 0x14000046 #define BYTE_LAST_ADDR 0x14000700 读写数据，断电后看是否还在。 结果显示，首次分区：
图 2 重新上电：
图3 四， 附件分享 | 
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