用FSMC控制外部SRAM有几个问题

只看该作者 · 2014-5-22 01:13

这两天用stm32f103vet6的FSMC读写外部扩展RAM，遇见了几个问题，实在不知道该怎么解决，请高手指点指点。我说说我的几个疑问；
1.stm32f103vet6这个芯片是100脚的，FSMC的Bank1区的四个子分区由FSMC_NE[4:1]片选，但是引脚中的片选只有NE1，也就是PD7引脚。那么外部SRAM的片选就只能接PD7了，那么初始化FSMC结构体只能是这样：FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1，不知道说的对不对。
2.外部RAM是IS64LV51216，地址18位，数据16位。因为vet6这块芯片没有低16位地址线，所以低16位地址只能与数据线复用。那么在初始化FSMC结构体的复用模式必须使能，也就是这个ram只能用FSMC的复用模式来读写，因为其他模式无法提供正确的地址信号。那么扩展模式不使能FSMC_ExtendedMode_Disable。因为选了复用模式，就不能用扩展模式（ABCD）了，这些模式有各自独立的时序，不能混着用。不知道说的对不对。
3.我在实验过程中出现了两个现象，不知道什么原因：
（1）比如说我用FSMC在外部ram的某个地址上（假设为0x5a5a）写一个数（0x1110）,然后再读取这个地址的数，串口显示出来的低三位总是1，也就是读出来0x1117，不管这个地址是多少，写的数据是多少，最后三位总是高电平，我用万用表测得ram上的地址引脚就是0x5a5a没有错，也就是说硬件连接不可能出错，我也认真检查过确实没错，不知道这是什么原因。（我考虑到了内部和外部地址应该移位，这个没问题）
（2）第二个问题：程序一：如果先在0x5a5a上写一个0x1110,然后读0x5a5a,接着再在0x5a60处写一个0xF0F0,然后再读取0x5a60，两次读出来的数分别是0x1117和0xF0F7,因为低三位总是高电平。程序二：连续写两次，再读两次。先在0x5a5a写一个0x1110,再在0x5a60处写0xF0F0,然后接着读0x5a5a和0x5a60，读出来的数分别是0x5a67和0xF0F7,也就是第一次读出来的数据是第二次写入时的地址，这个现象怎么解释。我觉得应该是时序的问题。

就这么多问题，请大家看看，看我哪里有错。补充一点：外部ram地址用两个74HC574锁存地址，锁存信号为FSMC的NADV信号，上升沿锁存地址。

只看该作者 · 2014-5-22 09:23

时序都搞到最大，看看是否有同样问题

只看该作者 · 2014-5-22 09:38

zchong 发表于 2014-5-22 09:23
时序都搞到最大，看看是否有同样问题

我说的前面两点都对吗，还有就是在平常的使用中时序都是都是很大吗。

1万 · 2014-5-23 13:45

第一个问题，理解正确。100引脚封装，FSMC只有只有Bank1的region1的片选（NE1），或者Bank2的片选（NCE2），二者是内部连在一起的。只能

第二个问题：100引脚封装，低16位地址信号和16位数据信号复用，因此设置成复用模式没错。对应库里的NORSRAMInit初始化来说，是【FSMC_DataAddressMux】这个成员置位。置于【FSMC_ExtendedMode】的设置，所谓“扩展模式”，我记得应该是指外部所连memory的“读”和“写”时序是否一致。