目标：设计一共射极直流增益β>150的NPN双极型晶体管，并分析其输入特性和输出特性。
1）MDRAW工具设计一个双极型晶体管（平面工艺）；
2）在MDRAW下对器件必要的位置进行网格加密；
3）编辑*_des.cmd文件，并在终端下运行此程序，其中集电极偏压从0V扫到20V；
4）应用INSPECT工具得出器件的输出特性和不同基极电流（取-2，0, 2, 4, 6, 8, 10μA）时的Ic-Vc输出特性曲线。
5）用Tecplot_ise对比晶体管工作于放大区（iB>0, VCE>VBE）、饱和区（iB>0, VCE<VBE）和截止区（iB<0）时的电场分布、载流子分布、载流子电流密度分布。
6）观察并解释基区宽度调制效应。
只要写出相关程序即可。
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