2812外扩RAM问题求教

发表于 2014-6-3 16:26

我现在用2812外扩了一个6416想用来仿真调试，使用的是XINTF区6，现在想LOAD程序到外扩的RAM里。CMD文件定义了程序存储器空间ZONE6为origin=0x100000,length=0x80000,后面的.reset.text .cinit .switch都是放在ZONE6里，现在一LOAD就提示错误data verification failed at address 0x100000，好像ccs根本没法识别外扩的XINTF，应该怎么做啊，多谢各位大神指点。

发表于 2014-6-3 21:18

这个问题在百度上也见有人问过，但是都没答案，真的没人遇到过吗？

发表于 2014-6-3 21:50

是c6416被外扩到了2812的XINTF6了是吧
你首先确认一下0x100000是不是此区的起始地址
应该是字地址吧
GEL里面是不是也需要设置一下呢

发表于 2014-6-4 09:03

zhangmangui 发表于 2014-6-3 21:50
是c6416被外扩到了2812的XINTF6了是吧
你首先确认一下0x100000是不是此区的起始地址
应该是字地址吧 ...

XINTF6区起始地址是0x100000，这个反复确认过了，我看到的书里都没有讲GEL和外扩RAM的关系，我读过GEL的程序，里面也明确过了XINTF区6的地址，都没问题。

发表于 2014-6-4 21:42

frognelson 发表于 2014-6-4 09:03
XINTF6区起始地址是0x100000，这个反复确认过了，我看到的书里都没有讲GEL和外扩RAM的关系，我读过GEL的 ...

你在找找吧不好说啊

发表于 2014-6-5 11:10

data verification failed at address 0x100000

这只是说该单元“校验错误”，
读回来的值，和写入的不一样。
暂时应当与CMD、gel无关。

硬件问题可能性大。
地址线、数据线、片选，都查查吧。

发表于 2014-6-5 16:08

程序小的话，可以在内部sram调试。
用外部的话，需要设置emif寄存器。

发表于 2014-6-5 16:41

使用外部的ram，应该在DSP内部寄存器进行设置吧。

发表于 2014-6-6 14:38

玄德发表于 2014-6-5 11:10
data verification failed at address 0x100000

这只是说该单元“校验错误”，

你说这个靠谱，我用内部RAM仿真的时候发现用数据和地址总线往外扩RAM里写数据读数据确实有问题，但是往CPLD里写和读就没问题。我查了画的PCB应该没问题，会不会是RAM的片选比数据和地址线长导致的，片选有70mm左右，最短的数据线大概是20mm。

发表于 2014-6-6 14:52

本帖最后由玄德于 2014-6-6 14:54 编辑

frognelson 发表于 2014-6-6 14:38
你说这个靠谱，我用内部RAM仿真的时候发现用数据和地址总线往外扩RAM里写数据读数据确实有问题，但是往CP ...

既然有问题，为什么不查出来呢？

另外，原理、PCB都正确，具体到板子未必正确，查查短路、虚焊。

发表于 2014-8-3 00:38

我也遇到这个问题，我想是需要对xintf进行初始化之后，才可以使用外部sram，所以当把程序从flash整体搬到外部的sram的时候，需要在_c_int00之前初始化xintf，也就是说要用汇编语言实现InitSysCtrl，InitXintf这二个函数的功能。这二个函数可以放在flash或内部sram中执行
不知这样理解对不对？

发表于 2016-3-8 20:55

这个我要mark一下

发表于 2016-3-9 14:21

楼主，能把你的外扩的整个工程发给我吗？我是刚开始学得菜鸟，现在正需要这一块

发表于 2016-7-14 19:43

我也遇到相同的问题，楼主问题解决了吗？能不能分享下解决办法

[仿真] 2812外扩RAM问题求教

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