求解，美国制造高压脉冲电路总是烧，有分析有详图

登录 · 发表于 2014-6-5 15:45

本帖最后由 kevin317 于 2014-6-5 17:59 编辑

先上图，这个板子是美国公司设计的，输入电压是DC 750V，输出应该要4500V 高压脉冲，并且在开关管IXT3N120上有1Hz的开关信号控制，但实际在使用的时候，开始还能正常工作，但过不了2小时左右，开关管总是莫名坏掉，现象为750V加上，没有加开关信号的时候，漏极只有不到600V，把管子拿下来测量，漏-源击穿，还有漏极和栅极电阻很小，一开始怀疑是静电的关系，后来经过开关管厂商的反应，说是EOS （电气过载），小弟实在是看不明白，问题出在哪里？

发表于 2014-6-5 15:57

另外说明，这个不是电源，我们需要的输出是一个频率为1Hz的高压短脉冲

发表于 2014-6-5 16:46

IXT3N120 资料都找不到的，这个管子实际耐压多少？

发表于 2014-6-5 16:49

过热了管子

登录 · 发表于 2014-6-5 16:54

这个管子我也不太熟悉，上面的图是DATASHEET, 最大耐压可能是1200V

发表于 2014-6-5 16:55

另外，哪位大侠能解释一下这个电路是怎么工作的？万分感谢！

TXQDM · 发表于 2014-6-5 17:09

马克思高压脉冲发生器

发表于 2014-6-5 17:11

从来没听说过的名字，能具体解释一下怎么工作的嘛，大概解释一下就行，实在是弄不明白，另外为什么那个开关管那么脆弱呢。。。

发表于 2014-6-5 17:15

另外，图中那些三极管基极和射极短接起来，是起什么作用？当二极管用么？

发表于 2014-6-5 17:15

该电路可以方便地得到1MV、甚至10MV的特高压脉冲电压，高压输电行业测试经常用到。
不同之处是用火花隙代替楼主图中的晶体管。
楼主的图，是用小能量击穿晶体管形成瞬间短路，只要有一个击穿，其余的便过压发生链式反应。
电容容量要控制，保证短路能量不足已形成热点损坏PN结。

发表于 2014-6-5 17:21

原图中，各高压电容先充电，然后给Q1加一个脉冲，Q1导通，别的几个高压BJT就跟着逐个击穿

发表于 2014-6-5 17:24

谢谢楼上的分析！那就是说这个板子总会烧毁那个开关管的原因是电容放电时过热的问题吗？那这个1Hz的开关频率要不要调整？因为对方说这个是个成熟的产品，设计没问题，只是到了我们这就老爱坏，不知道应该注意点什么。

发表于 2014-6-5 17:24

接着补充：如果Q1触发频率太快，那堆高压BJT击穿频率同步提升，BJT的热点过热，便会二次击穿导致永久性损坏。

发表于 2014-6-5 17:56

PowerAnts 发表于 2014-6-5 17:24
接着补充：如果Q1触发频率太快，那堆高压BJT击穿频率同步提升，BJT的热点过热，便会二次击穿导致永久性损坏 ...

能不能解释一下这个电路是怎么工作的？是说图中那些三极管会在电容的充电过程中被击穿吗？然后这些电容就变成串联的了？开关管的漏极750V的电压是一直加上的，那不会一上电这些三极管就击穿了吗？我看了DATASHEET说这些三极管耐压只有400V，还以为设计有问题

发表于 2014-6-5 17:57

PowerAnts 发表于 2014-6-5 17:24
接着补充：如果Q1触发频率太快，那堆高压BJT击穿频率同步提升，BJT的热点过热，便会二次击穿导致永久性损坏 ...

再次感谢蚂蚁兄的指点迷津啊:)

发表于 2014-6-5 18:16

看情况，应该是电容并联充电，
然后串联放电！以此来来提高电压！

按这样来说的话，这个开关频率是有范围的！
频率太慢会导致电容电荷流失，使输出达不到要求的电压！
屏律太快会导致各晶体管包括MOS管平均功率太大，容易烧掉！

所以建议楼主降低开关频率试试！！

发表于 2014-6-5 19:13

长知识了。。。。。。

发表于 2014-6-5 21:18

这个是电容倍压电路吧

发表于 2014-6-6 08:50

涨见识了~

发表于 2014-6-6 09:10

恕小弟愚钝，确实有点弄不清楚原理，平时那些电容并联充电这里还可以理解，但为什么给Q1一个开关脉冲，打开后，后面几个三极管都会被击穿呢？

求解，美国制造高压脉冲电路总是烧，有分析有详图

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