2.2 栅极电压
IGBT通常采用栅极电压驱动,它对栅极驱动电路有着特殊的要求。栅极驱动电 压脉冲的上升率和下降率要足够大,导通时,前沿很陡的栅极电压UGE可以使IGBT快速导通,并减小导通损耗,关断时,其栅极驱动电路要给IGBT提供一个下降很陡的关断电压,并在栅极和发射极之间施加一个适当的反向负偏压,以便使IGBT快速关断,并减小关断损耗。IGBT导通后,栅极的驱动电压和电流要有足够的宽度,以保证IGBT在瞬时过载时未退出饱和区受到损坏。栅极驱动电压推荐值为15 V±1.5 V,这个电压值使IGBT完全饱和导通,并使通态损耗减至最小。施加关断负偏压可以抑制C-E间出现du/dt时IGBT的误导通,也可以减少关断损耗。
2.3 门极电阻R1
门极电阻R1的选取对通态电压、开关时间、开关损耗及承受短路的能力都有不同程度的影响。当门极电阻增大时,IGBT的开通和关断时间增加,从而使导通和关断损耗增加。当门极电阻减小时,则会导致di/dt增加,从而引起IGBT的误导通。所以应根据IGBT的电流容量和电压额定值以及开关频率的不同选择R1的阻值。
Rl的值可以用下式计算:
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