[电子元器件] 关于POWER MOS管和普通MOS的区别

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 楼主| leshak 发表于 2014-6-19 09:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 leshak 于 2014-6-20 10:22 编辑

      电路如附件,当EN_MIIPWR保持一直LOW的时候,Q1不导通,保持一直HIGH的时候,Q1导通。
当EN_MIIPWR时一个有频率的方波信号,高电平时间为15MS,低电平时间为900MS
测试出来的VCC5波形很奇怪,感觉Q1 的开关速度明显有延时。
朋友说要用POWER MOS管,请问下大侠POWER MOS和普通MOS有什么区别嘛?
谢谢。



 楼主| leshak 发表于 2014-6-19 09:50 | 显示全部楼层
奇怪,好像图片上传不了
maychang 发表于 2014-6-19 09:51 | 显示全部楼层
电路如附件???
shalixi 发表于 2014-6-19 10:10 | 显示全部楼层
POWER MOS管和普通MOS的区别之一是Ron差别大。
戈卫东 发表于 2014-6-19 11:27 | 显示全部楼层
通常电流大的管子栅极电容也大
鸟鸟 发表于 2014-6-19 12:45 | 显示全部楼层
 楼主| leshak 发表于 2014-6-20 16:52 | 显示全部楼层
我找了个IRLML6402和SI2301的规格书比较了下
感觉参数都差不多啊。



 楼主| leshak 发表于 2014-6-20 16:53 | 显示全部楼层
奇怪,怎么上不了图片
 楼主| leshak 发表于 2014-6-20 17:03 | 显示全部楼层
 楼主| leshak 发表于 2014-6-24 08:41 | 显示全部楼层
结贴也结不了,图也上不了,好奇怪啊
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