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开关电源助理工程师面试题

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楼主
pengjianxue|  楼主 | 2007-9-5 16:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
       开关电源助理工程师面试题    
 共25题  1---20题每题3分  21---25题每题8分        
1,    一般情况下,同功率的开关电源与线性电源相比,_____。
A, 体积大,效率高   B,体积小,效率低  C, 体积不变,效率低 D, 体积小,效率高
2,大功率开关电源常用变换拓扑结构形式是_____。
A, 反激式   B, 正激式  C,  自激式  D, 他激式 
3,  一般来说,提高开关电源的频率,则电源_____。
    A, 同体积时,增大功率  B, 功率减小,体积也减小  C, 功率增大, 体积也增大  D, 效率提高, 体积增大
4, 肖特基管和快恢复管常作为开关电源的____。
    A, 输入整流管  B, 输出整流管  C,  电压瞬变抑制管  D, 信号检波管
5, 肖特基管与快恢复管相比,____。
    A, 耐压高  B, 反向恢复时间长 C,  正向压降大 D, 耐压低, 正向压降小
6, GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,那些是开关电源中变压器常用的驱动元件?____。
    A, GTO和GTR  B, TRIAC 和IGBT  C, MOSFET和IGBT  D,SCR和MOSFET
7, 开关电源变压器的损耗主要包括:____。
   A, 磁滞损耗、铜阻损耗、涡流损耗 B, 磁滞损耗、铜阻损耗、介电损耗 
C, 铜阻损耗、涡流损耗、介电损耗 D, 磁滞损耗、涡流损耗、介电损耗
8,开关电源变压器的初级漏感测量方法是___。
   A, 次级开路,测初级电感 B, 初级开路,测次级电感C, 次级短路,测初级电感
   D, 初级短路,测次级电感
9,开关电源变压器的激磁电感测量方法是___。
   A, 次级开路,测初级电感 B, 初级开路,测次级电感C, 次级短路,测初级电感
   D, 初级短路,测次级电感
10,变压器初次级间加屏蔽层的目的是_____。
   A, 减小初次间分布电感引起的干扰 B, 减小初次间分布电容引起的干扰
   C, 提高效率 D, 增大绝缘能力
11,减小开关驱动管的损耗主要途经是_____。
   A, 选用低导通电阻的驱动管  B, 提高驱动管的驱动信号的边沿陡度
   C, 提高开关频率  D, A和B及减小开关频率
12,已知功率管的管芯至管壳的热阻为1.2℃/W,管壳至散热器的热阻为2.0℃/W, 散热器至自由空气的热阻为10℃/W,环境温度为70℃,如功率管的损耗为6W,工作半小时后,管芯温度大约为___。
   A, 149.2℃   B 79.2℃   C, 70℃   D, 102℃
13,220VAC输入的电源,输入对外壳、输入对输出的工频耐压试验值一般是_____。
   A,500V、1000V  B, 1500V、2500V  C, 2500V,1500V  D,1000V,1500V
14, 电容的损耗包括漏电损耗和介电损耗,其中介电损耗是主要损耗,损耗角____。
   A, 越大,损耗越小  B,越小,损耗越小  C,是消耗有功功率与视在功率之比  D, 是无功功功率与视在功率之比
15,电感饱和是指_____。
   A, 通过的磁通随电流变化而变化 B, 电抗不变 C, 电抗减小  D,电抗增大  






16,电感、磁环、磁珠的应用区别主要是____。
   A, 电感用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁珠用于信号线抗射频干扰
   B, 电感用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、磁环用于信号线抗射频干扰
   C, 磁环用于滤波、磁珠套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰
   D, 磁珠用于滤波、磁环套在流有较大电流的导线上抗射频干扰、电感用于信号线抗射频干扰
 17,真空放电管、压敏电阻、TVS管分别用于____瞬时过压保护。
   A, 电子元器件、电子设备、电气设备 B,电子设备、电气设备、电子元器件
   C, 电气设备、电子元器件、电子设备 D,电气设备、电子设备、电子元器件
 18,EMS测试中,IEC61000标准中浪涌电压、电快速脉冲的脉宽/边沿要求是___。
   A, 50µS/5µS  50nS/5nS  B, 50µS/5nS  50nS/5nS 
   C, 100µS/1µS  100nS/10nS  D, 5µS/5nS  100nS/10Ns
 19, 220VAC电源输入滤波器共模阻抗与差模阻抗相比, _____.
   A, 共模阻抗与差模阻抗基本相同  B, 共模阻抗小于差模阻抗
   C, 共模阻抗大于差模阻抗        D, 共模阻抗等于差模阻抗的平方
 20, 模拟电路地与数字电路地一点共地的目的是___.
   A, 减小数字电路地线电流  B, 减小模拟电路受到的辐射干绕 
C, 增大模拟电路与数字电路的共地阻抗D, 减小模拟电路与数字电路的共地阻抗
 21, 分布式电压闭环开关电源并联运行, 每台电源在电压给定值不变的情况下,电压—电流静态特性应为____.
   A, 硬特性(即恒压特性)  B, 降特性(即随电流增大电压下降)
   C, 升特性(即随电流增大电压增大)  D, 无要求
 22, PID调节方式中,I和D的作用分别是____.
   A, 消除静态误差和提高动态性能  B,提高动态性能和消除静态误差
   C, 减小调节时间和消除静态误差  D, 减小超调量和消除静态误差
 23, 一运算放大器的开环增益为80DB, 如不考虑其他误差因素,要求用该放大器一级放大某信号, 误差小于0.5%, 则闭环放大增益K应____.
    A,  K >=100   B,  K>=50   C, 50<=K<=100  D, K<=50
24, 开关电源中反馈用的传输光耦,对其CTR值要求是____.
     A, 越大越好  B, 越小越好 C, 有一定的范围  D, 无所谓
 25, 如果是NRZ编码,当通讯波特率较高且距离较远时, 总线两端需要接端接电阻,该电阻取值依据为___.
     A, 按总线驱动器的直流负载能力取  B, 按干扰噪声程度取
     C, 取该波特率(频率)对应的通信电缆的波阻抗值 D, 取该波特率对应通信电缆的分布电容的容抗值

答案:1.D  2. B  3. A  4.B  5.D  6.C  7.A  8.C  9.A  10.B  11.D  12.A  13.B  14.B  15.C  16.A 
      17.D  18.A  19.C  20.D  21.B  22.A  23.D  24.C  25.C 
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沙发
kelvin_zyc| | 2007-9-5 16:24 | 只看该作者

24题选B

    

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板凳
木头东瓜| | 2007-9-5 16:34 | 只看该作者

勉强能做对几个

嘿嘿

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地板
awey| | 2007-9-5 16:40 | 只看该作者

题目出得不错

赏红裤头一条~`~~

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5
mygaojian| | 2007-9-6 08:20 | 只看该作者

我作对了11个

23, 一运算放大器的开环增益为80DB, 如不考虑其他误差因素,要求用该放大器一级放大某信号, 误差小于0.5%, 则闭环放大增益K应____.
    A,  K >=100   B,  K>=50   C, 50<=K<=100  D, K<=50
24, 开关电源中反馈用的传输光耦,对其CTR值要求是____.
     A, 越大越好  B, 越小越好 C, 有一定的范围  D, 无所谓
这2个题如何解答啊???????
?????????????????????????????????????

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6
xwj| | 2007-9-6 08:46 | 只看该作者

光电隔离器的CTR值

光电隔离器的CTR值  
   指的是电流传输比。当输出电压保持恒定时,它等于输出电流IC与输入电流IF的百分比。他是线性光耦与普通光耦的重要区别。CTR是光耦的重要参数。
普通光耦合器只能传输数字(开关)信号,不适合传输模拟信号。线性光耦合器是一种新型光电隔离器件,它能够传输连续变化的模拟电压或模拟电流信号,使其应用领域大为拓宽。 
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(例如4N35),而PC817则为80%~160%。达林顿型光耦(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。因此CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。普通光耦的CTR

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7
hq_y| | 2007-9-6 08:58 | 只看该作者

24题选c

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8
computer00| | 2007-9-6 09:13 | 只看该作者

做了一下,95分。错了5个...汗...

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bybxjhsy 2013-6-26 18:39 回复TA
怎么算的? 
9
awey| | 2007-9-6 09:17 | 只看该作者

错了5个是80分

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10
还我今生| | 2007-9-6 09:17 | 只看该作者

没做过开关电源 不过正在接触 做对14个

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11
kelvin_zyc| | 2007-9-6 09:21 | 只看该作者

就目前的光耦合技术而言

   24题选B

   因为这是只技术问题,问的只是整体效果,并没有要考虑其他.

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12
hq_y| | 2007-9-6 09:36 | 只看该作者

没有实际做过,但是我觉得,应该是最好是固定在一个范围

变化小一点
光耦的ctr的特点是离散性比较大,因此,选择光耦我觉得还是离散性小一点好;这样做出来的开关电源可调整的东西少;
比如pc817,可能就相对比较合适做开关电源;

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13
computer00| | 2007-9-6 09:36 | 只看该作者

哦。。。我搞错了。

楼主在15题后加几个空行,我以为后面的都是8分呢,所以算了总分125拉。

这样的话,前面3分的错了3个,后面8分的错了2个,就错了25分拉,只剩75分了。

24道我也选了B...

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14
kelvin_zyc| | 2007-9-6 10:05 | 只看该作者

是的,但是现在的光偶技术上

   但是现在的光偶技术上,CTR与离散性有很大的联系,CTR 越小,离散性就越小. 所以从实际技术开发选择上可以确定 24题选B
 
   但如过考虑到价格问题,离散性好的要比离散性差的要贵一些,因此具体开发就要视情况而定了.
   
   原题只是技术问题,目的是追求好的电气性能,所以个人认为答案是选择B

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15
微风| | 2007-9-6 10:19 | 只看该作者

对了16个

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16
lihuanjie| | 2007-9-6 13:12 | 只看该作者

我很紧张

做了3年电源了,如果不及格。。。

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17
zhenglixin| | 2007-9-6 14:00 | 只看该作者

re:

靠,居然只对了14个,晕死!!!!

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18
K.G.B.| | 2007-9-6 18:01 | 只看该作者

不过如此,试试做做看国外某大学的考试题。

1。普通二极管和电力电子用的二极管在结构上有什么区别?提示:psn结构,s层的作用是什么?可以从杂质掺杂浓度来分析。

2。在现代开关器件中,经常可以看到punch through技术的应用。请介绍一下这种技术的原理和它的优点(相比起没有使用此技术的器件)。

3。IGBT有“电导调制”的特点,应此igbt在大电流,较低频率的应用场合较MOSFET更有优势。何谓电导调制?

4。thyristor和gto结构上大同小异,但后者却能够实现主动关断。请介绍一下生产工艺上的差异。

5。在大电流应用场合,有时需要多管并联。现在可供选择的器件有igbt和mosfet。哪些可以用于并联,哪些不可以?原因是什么?

6。在常用的dcdc converter中,如buck converter 或boost converter,二极管的反相恢复时间对能量损耗的影响很大。为改善损耗,请给出两种方法。提示:新器件**拓扑结构。

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19
pengjianxue|  楼主 | 2007-9-6 19:12 | 只看该作者

要求不要太高

此题是针对开关电源助理工程师的,并且专门针对开关电源基本知识有关的面试题,是应用技术类试题,不是专门针对电力半导体专业和电力电子专业的.

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20
drq1997| | 2007-9-8 10:03 | 只看该作者

第13题有问题

一般开关电源输入和输出之间根据gb要求 要满足3000v的高压测试.

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